硕士班考试入学试题-国立虎尾科技大学机构典藏NFUIR.DOCVIP

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2018-08-18 发布于天津
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硕士班考试入学试题-国立虎尾科技大学机构典藏NFUIR

國立虎尾科技大學102學年度碩士班考試入學試題系別：光電工程系光電與材料科技碩士班科目：考試科目2 (電子學) 注意事項：（1）本試題共有八題，任選五題作答，每題二十分，合計一百分。（2）請於答案卷上註明選答題號，若未註明選答題號及超過規定題數時，僅採計作答順序較前之題目計分。計算問答題…… 下圖為silicon PN Junction請分別標出(a)電子的擴散方向(b)電子的飄移方向(c)電洞的擴散方向(d)電洞的漂移方向(e)擴散電流的方向(f)漂移電流的方向 (g)空乏區的電場方向? (h)若將矽PN Junction 操作在順向偏壓時,那一種電流增加? 「解」： Analyze the circuit shown in Figure using a piecewise linear model (Vr). (a) 請問a圖二極體D2的Peak Inverse Voltage (PIV) ? (b) 請問b圖二極體D4的Peak Inverse Voltage (PIV) ? (b) 下圖(a)為共基極電路，圖(b)為結合共射極和共基極的疊接電路，請分別畫出圖(a)及(b)之高頻小訊號等效電路? 圖(a) 圖(b) The parameters of the MOSFET in the circuit as following figure are VTN=0.8 V, Kn=0.85 mA/V2, and λ=0.02 V-1. Determine RS=? and RD=? such that IDQ=0.1 mA and VDSQ=5.5 V. 如下圖所示，假設電路中的二極體為理想二極體。分別求出圖(a)(b)中的電壓Vo 和電流 I 如圖所示，≥100，如下圖，放大器之直流偏壓可使得ID=1mA和 gm=1mA/V(忽略ro效應)，若欲使Cs對應之極點頻率為20Hz，則Cs=? Cs所對應的零點頻率計算此放大器之直流增益如下圖所示，請設計VGS和RD的值，使得此共源極放大器的增益Av=-10 (假設Vt=1.5V，K=0.125mA/V2, VA=50V, ID=K(VGS-Vt)2) 共4頁，第1頁 N-type Si P-type Si 可用計算機