硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法讨论稿.DOCVIP

硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy （工作组讨论稿） 201X - XX - XX发布 201X - XX - XX实施 前 言 抛光片表面金属含量是近年来硅片质量控制的基本参数之一，是半导体器件制造的基本要求。本方法的意义和应用在于：由于该方法是无接触的非破坏性测量，能测量在抛光生产片上特定金属的元素面密度；能很方便的监控硅片产品的金属面密度；这一测试方法可用于洁净的镜面抛光片和外延片的在线检验及产品研发、材料的验收。 本标准参照ASTMF F1526-04《硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法》，涵盖了该标准的所有内容。 本标准由全国半导体材料与设备标准化委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）归口； 本标准起草单位：有研半导体材料股份有限公司；万向硅峰电子有限公司。 本标准主要起草人：孙燕、李俊峰、楼春兰、卢立延、张静、翟富义。硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 范围 本方法使用单色X光源全反射X光荧光光谱的方法定量测定硅单晶抛光衬底表面层的元素面密度。 本方法适用于N型和P型硅单晶抛光片、外延片经镜面抛光的硅片，尤其适用于清洗后硅片自然氧化层，或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。也可测定砷化镓、蓝宝石等材料的抛光表面的金属沾污。 对良好的镜面抛光片表面，可探测深度约5nm，分析深度随表面粗糙度的改善而增加。 1.4 本方法可检测原子周期表中16（S）-92(U)的元素，尤其对确定如下元素有效：钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅。 1.5 本方法适用于测量面密度在109-1015atoms/cm2的范围的元素。检测极限依赖于原子数、激励能、激励X射线的光通量，设备的本底积分时间以及空白值。对恒定的设备参数，无干扰探测极限是元素原子序数的函数，其变化超过两个数量级，见附录A1中重复性和检测极限的相关性讨论。 本方法是非破坏性的。 本方法是对其它测试方法的补充（见技术资料性附录B1）。 2.规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 2828.1计数抽样检验程序 GB/T14264 半导体材料术语 3术语 GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 角扫描 anglescan 作为掠射角函数，对发射的荧光信号的测量。 3.2 临界角critical angle 当掠射角低于某一角度时，被测表面发生对入射X射线的全反射，这一角度称为临界角，即能产生全反射的最大角度。 3.3 掠射角 glancing angle TXRF方法中X射线的入射角度。 3.4 TXRF (total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy) 全反射X光荧光光谱。 3.5 RSF (relative sensitivity factors) 相对灵敏度因子 4 方法原理 4.1 图1给出了本方法的原理示意图。来自X射线源的单色X光以一个低于临界角的倾斜角度掠射到硅衬底抛光表面时，发生入射X射线的全反射。X射线的损耗波穿过硅抛光表面呈指数衰减，衰减强度依赖于自然氧化层和硅衬底的总电子密度；本方法对硅片表面的探测深度取决于衰减强度，对硅片的所有电阻率范围，其指数衰减长度约为5nm。 4.2 损耗波激发硅片表面原子的荧光能级，发射对应其原子序数的特征X射线荧光谱，这一能量色散谱被锂漂移硅探测器或其他固态探测器探测接收。用标定标准的方法已经获得了标准样品上含量高于1011atoms/cm2的特定元素面密度（见资料性附录B1），荧光峰值下的积分计数率与标定的特定元素面密度呈线性关系。 4.3 使用由TXRF设备制造商提供的或其它公司研发的标准样品可快速完成分析，标准样品中至少在测量区域内有一个已知元素的面密度，TXRF设备对这一标准样品进行分析，提供相应已知元素面密度的荧光积分计数率，然后在相同的设备条件下测量一个或更多的样品，使用与每个已知的经过标定元素面密度的计数率相关的相对灵敏度因子（RSF），可确定被测样品中元素的荧光积分计数率。RSF包含在设备软件中。本方法的精密度确定取决于正确的定标