碳纳米管热发射电子源的制备及其特性的测量-国家级大学生创新创业.PDFVIP

碳纳米管热发射电子源的制备及其特性的测量 北京大学 李志伟 （北京大学信息科学技术学院电子系，北京市海淀区 邮编；100871） 指导教师 魏贤龙 特聘研究员 中文摘要：近年来，使用纳米材料制作高性能的电子源取得了一定的进展。该论文利用微纳加工技术，使用多壁碳纳米 管作为发射材料，成功制备了微型的热发射电子源。测量了电子源的热发射特性，发射电流曲线和源漏电压成很好的指数关 系。单个碳纳米管热发射电子源的发射电流达40nA，比之前报道的石墨烯热发射电子源大很多。实验结果表明碳纳米管热发 射电子源有望制作大规模的集成阵列。 英文摘要：We fabricate a microscale thermionic electron emitter by using a suspended multiwall carbon nanotube(MWNT) as the filament based on microfabrication technologies and successfully measure its emission performances. The emission curve fits well with an exponential law and the emission current of a single CNTEE reaches up to 40nA, which is higher than previously report ed graphene-based thermionic electron emitters and promising to make a large-area electron emitter array with microfabrication techniques. 关键词：碳纳米管 热电子发射 电子源 一、引言 （一）电子发射 电子发射是指电子从固体中进入真空中的现象。电子发射的机制包括热电子发射、场致电子发射、光 电子发射、二次电子发射等，电子发射是制作真空电子器件的物理基础。 热发射最早由爱迪生在发明白炽灯的时候观测到。热发射需要很高的温度 （通常在1000℃以上）激活 [1] 电子以克服势垒。 金属的热发射服从Richardson 定律，该定律由Richardson 于1905 年发现，它指出金属 的发射电流密度和金属的功函数成负指数关系 2 4 2 − = （1−） 3 e 半导体的热发射服从四分之五次方定律，发射电流密度和温度的四分之五次方成正比 5/4 − = e 场发射是指在外加电场作用下，固体边界的势垒宽度降低，能量低于势垒高度的电子有一定几率穿过 势垒进入真空。这就是量子力学中的隧穿效应。金属材料的场发射公式由Fowler 和Nordheim 提出，又称 Fowler-No