重离子单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究.PDFVIP

重离子单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究 1,2 贺朝会 耿斌 王燕萍 彭宏论 杨海亮 陈晓华 李国政 1 西安交通大学 西安市咸宁西路 28 号 710049 2 西北核技术研究所 西安 69 信箱 13 分箱 710024 hechaohui@ 252 60 中文摘要：应用 Cf源和 Co γ 源进行单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究，实验结 果表明，静态加电和不加电状态下，γ 累积剂量对单粒子翻转截面的影响不大，无明显的规 律。动态测量状态下，在存储单元中写入相同数据时，器件的单粒子翻转截面随累积剂量的 60 增加而增大。在实验中把存储单元中的数据取反，会使器件的单粒子翻转截面恢复到未经 Co γ 源辐照时的水平，甚至更低，从而抵销了累积剂量对单粒子翻转截面的影响。 关键词：静态随机存取存储器 252Cf 源 60Co γ 源 单粒子翻转效应 1 引言 空间辐射环境中，既有高能质子和重离子会导致半导体器件发生单粒子效应，又存在大 量电子会导致半导体器件中发生总剂量效应。二者是同时对半导体器件产生作用的。那么， 累积剂量 （总剂量）对单粒子效应有什么影响，是需要研究的问题。Stassinopoulos[1]的实 验结果表明电离总剂量会使单粒子翻转LET阈值减小；高剂量率辐照下，饱和截面会增大； CMOS器件的单粒子翻转敏感度有增大的现象，也有减小的现象。国内尚无这方面的报道。我 252 60 们应用 Cf源和 Co γ 源进行单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究，得到了一些初步的 结果。 2 实验方法 60 252 实验是在我所小 Co源和 Cf源上进行的。实验前用德国PTW公司生产的标准剂量仪 UNIDOS，放在被辐照器件处测量剂量率，然后乘以辐照时间可得器件的累积剂量。标准剂量 仪UNIDOS的测量误差小于 2％。实验中，在辐照板的中心和四角及每个器件上贴上热释光剂 量片 （TLD），测量辐射场的均匀性和每个器件的累积剂量。TLD测量结果与标准剂量仪的测 量结果在 5％的偏差范围内符合。 由于252Cf 自发裂变放射出重离子碎片，其LET值大于空间辐射环境中的带电粒子的LET 252 252 值，可以用来测量器件的单粒子翻转饱和截面。 Cf源单粒子效应辐照测量系统由 Cf辐射 源及调节定位部件、辐照真空靶室、真空系统和真空计、半导体器件单粒子效应在线测量系 统和辐射安全防护体组成，如图 1 所示。通过调节靶室外的定位调节部件来调整辐射源与器 件之间的距离，以获得不同的入射离子注量率。由靶室外的标尺直接读出两者的距离，根据 源的活度，通过理论计算出器件处的离子注量率，乘以辐照时间，可得入射到器件内的离子 - 1 - 注量。应用半导体器件单粒子效应在线测量系统测量静态随机存取存储器 （SRAM）的单粒子 翻转数。单粒子翻转数除以离子注量得到单粒子翻转截面。 定位调节部件 辐射安全防护体 真空靶室 真空 252 半导体器件