试验一扩展存储器读写试验.DOC

实验一 ：扩展存储器读写实验一.实验要求编制简单程序，对实验板上提供的外部存贮器（62256）进行读写操作。二.实验目的1．学习片外存储器扩展方法。2．学习数据存储器不同的读写方法。三.实验电路及连线?将P1.0接至L1。CS256连GND孔。四.实验说明1．单片机系统中，对片外存贮器的读写操作是最基本的操作。用户藉此来熟悉MCS51单片机编程的基本规则、基本指令的使用和使用本仿真实验系统调试程序的方法。用户编程可以参考示例程序和流程框图。本示例程序中对片外存贮器中一固定地址单元进行读写操作，并比较读写结果是否一致。不一致则说明读写操作不可靠或该存储器单元不可靠，程序转入出错处理代码段（本示例程序通过熄灭一个发光二极管来表示出错）。读写数据的选用，本例采用的是55（0101，0101）与AA（1010，1010）。一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等，在实际调试用户电路时非常有效。用户调试该程序时，可以灵活使用单步、断点和变量观察等方法，来观察程序执行的流程和各中间变量的值。2．在I状态下执行MEM1程序，对实验机数据进行读写，若L1灯亮说明RAM读写正常。3．也可进入LCA51的调试工具菜单中的对话窗口，用监控命令方式读写RAM，在I状态执行SX0000↓ 55，SPACE， 屏幕上应显示55，再键入AA，SPACE，屏幕上也应显示AA，以上过程执行效果与编程执行效果完全相同。注：SX是实验机对外部数据空间读写命令。4．本例中，62256片选接地时，存储器空间为0000~7FFFH。五.实验程序框图实验示例程序流程框图如下： 六.实验源程序：ORG 0000HLJMP STARTORG 0040HSTART:MOV SP,#60HMOV DPTR,#0000H ;置外部RAM读写地址MOV A,#55H ;测试的数据一MOV B,AMOVX @DPTR,A ;写外部RAMMOVX A,@DPTR ;读外部RAMXRL A,B ;比较读回的数据JNZ ERRORMOV A,#0AAH ;测试的数据二MOV B,AMOVX @DPTR,AMOVX A,@DPTRXRL A,BJZ PASS ;测试通过ERROR: SETB P1.0 ;测试失败,点亮LEDSJMP $PASS: CPL P1.0 ;LED状态(亮/灭)转换MOV R1,#00H ;延时DELAY: MOV R2,#00HDJNZ R2,$DJNZ R1,DELAYLJMP START ;循环测试END实验二 P1口输入、输出实验一.实验要求1.P1口做输出口，接八只发光二极管，编写程序，使发光二极管循环点亮。2.P1口做输入口，接八个扭子开关，以实验机上74LS273做输出口，编写程序读取开关状态，将此状态，在发光二极管上显示出来。二.实验目的1.学习P1口的使用方法。2.学习延时子程序的编写和使用。三.实验电路及连线实验一时，P1.0-P1.7接L1-L8。实验二时，P1.0-P1.7接K1-K8，PO0-PO7接L1-L8。CS273接8300H。四.实验说明1.P1口是准双向口。它作为输出口时与一般的双向口使用方法相同。由准双向口结构可知当P1口作为输入口时，必须先对它置高电平使内部MOS管截止。因为内部上拉电阻阻值是20KΩ~40KΩ，故不会对外部输入产生影响。若不先对它置高，且原来是低电平，则MOS管导通，读入的数据是不正确的。2.延时子程序的延时计算问题对于程序DELAY:?MOV R0，#00HDELAY1:MOV R1，#0B3HDJNZ R1，$DJNZ R0，DELAY1查指令表可知 MOV，DJNZ 指令均需用两个机器周期，而一个机器周期时间长度为12／11.0592MHz，所以该段程序执行时间为：（（0B3＋1）×256＋1）×2×12100.002mS五.实验程序框图?主程序框图(1)：??????? 程序框图(2)：六.1、主程序ORG 0000HLJMP STARTORG 0040HSTART:MOV SP,#60H?MOV A,#0FEHROTATE: MOV P1,A ;写 P1口RL A ;循环左移LCALL DELAY ;延时NOPSJMP ROTATEDELAY: ;延时子程序(1秒)MOV R0,#0AHDELAY1: MOV R1,#00HDELAY2: MOV R2,#0B2HDJNZ R2,$DJNZ R1,DELAY2DJNZ R0,DELAY1RETEND2、读P1