电子技术电工学2课件作者王黎明_第5章节.ppt

27465e 图6-4　晶闸管伏安特性曲线 27465e 3.晶闸管的主要技术参数　 (1)正向重复峰值电压UFRM　在门极开路、晶闸管结温为额定值、晶闸管未导通前，允许重复加在晶闸管阳极和阴极之间的正向峰值电压而又不使晶闸管导通的电压值，称为正向重复峰值电压，用UFRM表示。(2)反向阻断峰值电压URRM　在门极开路、晶闸管结温为额定值时，允许重复加在晶闸管阳极和阴极之间不会使其击穿的反向最大电压，称为反向阻断峰值电压，用URRM表示。(3)额定电压UN　通常把正向重复峰值电压和反向阻断峰值电压中较小的一个数值作为该型号器件的额定电压，用UN表示。(4)额定正向平均电流IF　在规定的环境温度和标准散热条件下，允许通过工频正弦半波电流在一个周期内的平均值叫做额定正向平均电流，用IF表示。(5)擎住电流IL　晶闸管从阻断状态转换到导通状态，去掉触发信号之后，维持器件导通所需的最小电流称为擎住电流，用IL表示，它是由阻断状态转换到导通状态的临界电流。 27465e 3.晶闸管的主要技术参数　 (6)维持电流IH　维持电流IH是在规定的环境温度下，门极开路，晶闸管已经触发导通时，从较大的导通状态电流降至维持晶闸管导通所必需的最小电流，所以它是由导通状态到截止状态的临界电流。(7)浪涌电流IFSM　当结温为额定值时，在工频正半周内，器件所能承受的最大过载电流称为浪涌电流，用IFSM表示。(8)通态平均电压(管压降)UP　通态平均电压UP是指在规定条件下，通过正弦半波的额定通态平均电流时，晶闸管阳极和阴极间电压降的平均值。(9)门极触发电压UG和门极触发电流IG　规定的环境温度下，在阳极和阴极间加一定正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需的最小门极直流电压和电流，称为触发电压UG和触发电流IG。 27465e 6.1.3　典型全控型电力半导体器件 1.门极可关断晶闸管　门极可关断晶闸管是在普通晶闸管的基础上发展起来的自关断电力半导体器件。2.电力晶体管　电力晶体管(GTR)又称为功率晶体管，它与普通晶体管的结构、工作原理基本相同，同样具有NPN型和PNP型两类，电路符号与普通晶体管相同。3.电力场效应晶体管　电力场效应晶体管(MOSFET)通常主要指金属-氧化物-半导体场效应晶体管。4.绝缘栅双极型晶体管　GTR和GTO是双极型电流驱动器件，由于具有电导调制效应，所以其通流能力很强，但开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。 27465e 1.门极可关断晶闸管　 (1)结构特点和关断原理　图6-5所示为门极可关断晶闸管的内部结构和电气符号。(2)GTO晶闸管的主要参数 27465e (1)结构特点和关断原理　 1)用GTO晶闸管构成电力电子装置时，主电路器件少，效率高。2)GTO晶闸管具有比普通晶闸管高得多的电流跃变承受能力。3)容易实现脉宽调制，改善输出波形。4)GTO晶闸管的开关速度远比普通晶闸管高，工作频率可达100kHz。 27465e 图6-5　门极可关断晶闸管内部结构和电气符号 27465e 图6-6　GTO等效电路 27465e 图6-7　SCR结构示意图 27465e 2.电力晶体管　 电力晶体管(GTR)又称为功率晶体管，它与普通晶体管的结构、工作原理基本相同，同样具有NPN型和PNP型两类，电路符号与普通晶体管相同。  27465e 3.电力场效应晶体管　 图6-8　N沟道和P沟道MOSFET 27465e 3.电力场效应晶体管　 图6-9　IGBT的电气图形符号和简化等效电路 27465e 4.绝缘栅双极型晶体管　 GTR和GTO是双极型电流驱动器件，由于具有电导调制效应，所以其通流能力很强，但开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。 27465e 5.1.1　单相半波整流电路 图5-3　单相半波整流电路的电压和电流的波形 27465e 5.1.1　单相半波整流电路 图5-4　半波整流电路输出电压的平均值计算 27465e 5.1.2　单相桥式整流电路 图5-5　单相桥式整流电路 27465e 5.1.2　单相桥式整流电路 图５-６　单相桥式整流电路的电压与电流的波形 27465e (2)变压器的电压比 图5-7　整流桥模块 27465e 5.2　滤波电路 5.2.1　电容滤波电路5.2.2　电感电容滤波电路(LC滤波)5.2.3　π形滤波电路 27465e 5.2.1　电容滤波电路 图5-8　接有滤波电容的单相半波整流电路 27465e 5.2.1　电容滤波电路 图5-9　滤波电容的作用 27465e 5.2.1　电容滤波电路 图5-10　电阻负载和电容滤波的单相半波整流电路的外特性曲线 27465e 5.2.2　电感电容滤波电路(LC