数字电路逻辑设计普通高等教育“十一五”国家级规划教材课件作者马义忠常蓬彬马浚张晓帆第8章节可编程逻辑器件.ppt

第8章 可编程逻辑器件 可编程逻辑器件(programmable　logic　device, 简称PLD)是最大规模甚至超大规模集成电路技术的飞 速发展与计算机辅助设计(CAD)、计算机辅助生(CAM) 和计算机辅助测试(CAT)相结合的一种产物,是数字逻辑 电路向着超高集成度、超低功耗、超小型封装和专用化 方向发展并采用“阵列逻辑”技术生产的器件。本章主要 介绍其中的可编程只读存贮器PROM、随机读写存储器 RAM、可编程逻辑阵列PLA(Programmable　logic array)、通用阵列逻辑GAL(Generic　Array　Logic)等器件的原理、编程及使用方法。 8.1 概述 数字集成电路产品的种类很多, 概括起来可分成标准集成电路(Integrated Circuit, IC)产 品、微处理器及其外围接口电路产品、面向特定用途集成电路ASIC(Application Specific IC)产品三大类。可编程逻辑器件PLD(Programmable Logic Device)是ASIC产品中的一个重 要分支。可编程逻辑器件PLD泛指可以编程的器件。从可否编程角度来看, 固定ROM(Read Only Memor y)、PROM(Programmable Read Only Memory)和EPROM(Erasable Programmable Read Only M emory)应属可编程逻辑器件。固定ROM, 在半导体制造厂家制造时根据要求做成固定的存储 内容, 出厂后使用者无法更改, 只能读出。 PROM是一种用户可编程逻辑器件。它们是可编程逻辑阵列PLA(Programmable Logic Array)、可编程阵列逻辑PAL(Programmable Array Logi c)、通用阵列逻辑GAL(General Array Logic)、现场可编程门阵列FPGA(Field Programmabl e Gate Array)和可编程大规模集成电路PLSI(Programmable Large Scale IC)等。 可编程逻辑器件PLD一般都含有与门阵列和或门阵列。但是, 不同器件的输出结构不同。采 用熔丝工艺PLD器件只能编程一次, 而采用E2CMOS(Electrically Erasable CMOS)工艺的P LD器件, 则可编程多次。 可编程逻辑器件PLD中的PROM、FPLA(Field Programmable Logic Array)、PAL和GAL 虽然都有与阵列和或阵列, 但编程方法和输出结构不同。表8-1给出了几 种可编程逻辑器件PLD的结构特点及性能比较。 低密度PLD的基本框图如如图8-1所示，它由输入缓冲、与功能、或功能、输出缓冲等四部分功能电路组成。根据阵列和输出结构的不同，早期PLD可分为四种基本类型：PROM、FPLA、PAL和GAL。 图8-1 PLD的基本框图 20世纪70年代的PLD PROM（可编程只读存储器）和PLA（可编程逻辑阵列）器件问世。在?PROM中，与门阵列固定，或门阵列可编程。在PLA中，与门阵列和或门阵列均可编程。但这两种器件采用熔断丝工艺，一次性编程使用。 20世纪70年代末的PLD PAL（可编程阵列逻辑）器件问世。在PAL中，与门阵列可编程，或门阵列固定，有多种输出和反馈结构，为逻辑设计带来一定的灵活性。但PAL仍采用熔断丝工艺，一次性编程。 20世纪80年代初, Lattice公司发明了通用阵列逻辑GAL器件, 采用输出逻辑宏单元(OLMC)的形式和EECMOS工艺结构, 具有可擦除、可重复编程、数据可长期保 存和可重新组合结构等优点。GAL比PAL使用更加灵活, 因而得到的广泛的应用。  20世纪80年代中期, Xilinx公司提出现场可编程概念, 同时生产了世界上第一片现场可编 程门阵列FPGA器件, 它是一种新型的高密度PLD, 采用CMOS-SR AM 工艺制作, 内部由许多独立的可编程逻辑模块组成, 逻辑块之间可以灵活地相互连接, 具有 密度高、编程速度快、设计灵活和可再配置设计能力等许多优点。同一时期, Altera公司推 出可擦除可编程逻辑器件EPLD器件, 它采用CMOS和UVEPROM工艺制作, 它比GAL器件有更高的集成度, 可以用紫外线或电擦除, 但内部互连能力较弱。 20世纪80年代末, La