电子束直写模版电沉积制备图案化磁记录介质.PDFVIP

电子束直写模版电沉积制备图案化磁记录介质 钞书哲，丁玉成，叶向东，李涤尘 （西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室，71。。49，西安） 摘要：以电子束直写光刻图形为模版，采用直流电沉积和数值模拟的方法，研究了镍纳米柱阵列图 案化磁记录介质的制备工艺和模版电沉积过程中的沉积不均匀问题．研究结果表明，在加速电压、 曝光电流确定的条件下，电子束直写光刻模版孔径由曝光时间决定，模版的孔径和孔距在10nm 量级精确可调．在纳米孔阵列模版中进行电沉积时，适当增大孔距，降低阴极电解电势，可以减小电 沉积过程中相邻孔之间的相互干扰，提高电沉积的均匀性，从而为图案化磁记录介质的电沉积制备 提供了一种新的方法． 关键词：图案化磁记录介质；电子束直写光刻；电沉积；不均匀 ununiformity 图案化磁记录介质（PM ）是由二维有序磁性纳 用的模版圈，具有成本低廉的优点，但模版孔径、孔 米阵列组成的一种新型磁记录介质，它可以突破连 距和有序度都与氧化条件紧密相关，因此难以制备 Effect）的极限，并有望将硬盘记录密度提高到 模版［lJ. 1Tb/ in，以上［lj．目前，研究的PM 主要包括利用聚 电子束直写光刻技术具有很高的分辨率，可以 焦离子束铣、干涉光刻或者嵌段共聚体光刻等方法 得到高精度完全有序的二维纳米孔阵列模版．本文 制备的磁性纳米颗粒阵列，以及用模版电沉积法得 采用电子束直写光刻技术和电沉积相结合的方法来 到的磁性纳米柱阵列图．磁性纳米柱与纳米颗粒相 制备镍纳米柱阵列，并研究了电子束直写光刻模版 比，具有明显单轴各向异性，因此有利于信息的写人 的孔径控制工艺和电沉积过程中存在的沉积不均匀 读出．阳极氧化铝模版是电沉积制备纳米柱阵列常 性问题． 家自然科学基金资助项目. 列模版．模版孔径d 由曝光电流I、曝光时间t和光 1 PM 制备实验 刻胶的敏感度S共同决定，假设曝光点电荷均匀分 PM 制备工艺流程如图1所示，主要包括电子束 布，则 直写光刻模版的制作和单晶硅基底镍纳米的电沉积． 】 ‘It 1/2 a ＝乙Ies兀不litS / (1) 模板制作 图2是在加速电压为 30kV 、曝光电流为500pA 时，不同曝光时间条件下（孔距200nm ）的电子束直 写光刻模版的扫描电镜图像．图3中的计算数值是 通过式（l）计算得到的． 电沉积 一 25卜s八。」：。！啊 图1 镍纳米柱阵列的制备流程 邝必户八