GPP製程簡介.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 玻璃塗佈之方法與差異 項目 DB PG EP Doctor Blade Photo Glass Electronic Plating ---- 光阻玻璃 電泳法 設備投資 較低 較高 高 黃光製程 不需 需要 不需 晶片製程 較簡單 較麻煩 最麻煩 晶片產量 高 低 最低 後段切割 不易 簡單 簡單 光阻玻璃塗佈 N N+ P+ SIPOS SIPOS PG 二次黃光完成 N N+ P+ SIPOS SIPOS PG PG Burn Off ( 光阻燒除 ) 排晶片 光阻燒除爐 光阻燒除 出光阻燒除爐 收料 將晶片一片一片排入石英舟之溝槽內，並規定好方向 將排好之石英舟送入光阻燒除爐 利用高溫將光阻燒除，以減少後續玻璃燒結氣泡殘留 將光阻燒除完成之晶片拉出光阻燒除爐 將材料收起來並準備進行玻璃燒結 排晶片 光阻燒除完成後出爐狀況 灰色表示晶片 黑色表示石英舟 Glass Firing ( 玻璃燒結 ) 排晶片 玻璃燒結爐 玻璃燒結 出玻璃燒結爐 收料 將光阻燒除完成之晶片排入石英舟之溝槽內，並規定好方向 將排好之石英舟送入光阻燒除爐 利用溫度將玻璃進行融溶固化，以形成良好之絕緣層 將玻璃燒結完成之晶片拉出玻璃燒結爐 將材料收起來並準備進黃光室 灰色表示晶片 黑色表示石英舟 玻璃燒結 N N+ P+ SIPOS SIPOS Glass LTO ( 低溫氧化層沉積 ) LTO ( Low Temperature Oxidation ) 利用LPCVD於低溫下在晶片表面沉積一層氧化層 Why LTO 因為玻璃粉之溫度轉換點特性之故 ( 依照不同之玻璃粉有不同之溫度轉換點，大約皆落於 450~600℃ ) 低溫氧化層沉積 N N+ P+ SIPOS SIPOS Glass SiO2 3rd Photo ( 三次黃光 ) HMDS烤箱烘烤 光阻塗佈 軟烤 對位曝光 顯影 將做完熱氧化之晶片送進 HMDS 烤箱烘烤，確保無水分殘留，並於晶片表面覆蓋一層促進接著劑 將光阻以旋轉塗佈機均勻的塗佈在晶片表面 將光阻內之有機溶液以約90℃烘烤，以增加後續 對位曝光之解析度 將軟烤完成之晶片以對位曝光機進行圖形轉移 將曝光完成之晶片以顯影液將所須之圖形顯現出來 硬烤 將顯影完成之晶片送進130 ℃之烤箱烘烤，使光阻固化 三次黃光 N N+ P+ SIPOS SIPOS Glass SiO2 PR Contact Etch ( 接觸面蝕刻 ) BOE浸泡 HF浸泡 純水QDR沖洗 混合酸浸泡 純水QDR沖洗 旋乾機旋乾 利用 BOE 蝕刻晶片表面氧化層 利用高純水( 12MΩ)快速沖洗晶片表面前站之殘餘物 利用高純水( 12MΩ)快速沖洗晶片表面前站之殘餘物 利用混合酸去除SIPOS 利用旋乾機將晶片表面之水分帶離 純水QDR沖洗 利用 HF 蝕刻晶片表面氧化層 利用高純水( 12MΩ)快速沖洗晶片表面前站之殘餘物 接觸面蝕刻 N N+ P+ SIPOS Glass SiO2 PR PR Strip ( 光阻去除 ) 將接觸面蝕刻完成之晶片送至光阻去除站，並準備進行光阻去除 利用硫酸將光阻劑去除乾淨 光阻去除 N N+ P+ SIPOS Glass SiO2 1st Ni Plating ( 一次鍍鎳 ) 於晶片表面以無電電鍍之方式鍍上一層鎳，以形成後段封裝所需之焊接面 一次鍍鎳 N N+ P+ SIPOS Glass SiO2 Ni Ni Sintering ( 鎳燒結 ) 於一次鍍鎳完後會安排晶片進爐做燒結之動作 其主要目的為： 1.) 讓鎳與矽形成合金 2.) 增加焊接之拉力 鎳燒結 N N+ P+ SIPOS Glass SiO2 Ni 2nd Ni Plating ( 二次鍍鎳 ) 鎳燒結完後晶片表面一樣會有多餘之鎳殘留，通常都使用硝酸來去除 處理完之晶片會再鍍上一層鎳來提供焊接面 二次鍍鎳 – 泡完硝酸後 N N+ P+ SIPOS Glass SiO2 Ni 二次鍍鎳完成後 N N+ P+ SIPOS Glass SiO2 Ni Au Plating ( 鍍金 ) 由於鎳置於室溫中容易氧化，故會在其晶片外表再鍍上一層金，以避免氧化現象發生 另外金還有一個優點 ? 於焊接時可讓銲錫之流動狀況較好 鍍金 N N+ P+ SIPOS Glass SiO2 Ni Au * * * * * * * * * Andy Kang GPP 製程簡介 Prepared by：Bi Lidong Date：Sep-14-2007 What is GPP GPP