微机原理与接口技术(第二版)课件作者马维华主编1,3,4,5,8,9,10,11章节十一五教材讲稿第5章节存储器.pptVIP

第5章 微型计算机的存储器 第5章 微型计算机的存储器 5.1 存储器概述微机存储器分类 5.1.1 半导体存储器分类 5.1.2半导体存储器主要指标 1.半导体存储器的存储容量：指每一个存储芯片或模块能够存储的二进制位数。 存储器容量=单元数×数据位数 存储容量V与m、n之间的关系为：V=2m×n 2.存取速度 存取速度：从CPU给出有效的存储器地址到存储器输出有效数据所需要的时间。 内存的存取速度通常以ns为单位。 有：时钟周期(TCK)、存取时间(TAC)和 列选通延迟时间(CL) 3.带宽 存储器的带宽指每秒传输数据总量。 带宽=存储器总线频率×数据宽度/8 （单位：字节/S） 5.2 易失性随机存取存储器 SRAM一般结构 典型SRAM芯片62256 二、DRAM DRAM一般结构 DRAM典型芯片 芯片容量 =2内部地址线条数*位数 =2外部地址线条数*2*位数 424256的容量 =29*2*4=218*4=256K*4位 高速RAM 1. EDO DRAM(Extended Data Out)即扩展的数据输出。利用预测地址，可以在当前读写周期中启动下一个存取单元的读写周期，进而从宏观上缩短了地址选择的时间。由于EDO的设计仅适用于数据输出的时候，因此而得名。用于486 及Pentium 产品中。 2. SDRAM（Synch