InGaNGaN超晶格厚度对Si衬底GaN基蓝光发光二极管光电性能的影响.PDF

InGaN/GaN超晶格厚度对Si衬底GaN基蓝光发光二极管光电性能的影响 齐维靖 张萌 潘拴 王小兰 张建立 江风益 Influences of InGaN/GaN superlattice thickness on the electronic and optical properties of GaN based bluelight-emittingdiodesgrownonSisubstrates QiWei-Jing ZhangMeng PanShuan WangXiao-Lan Zhang Jian-Li Jiang Feng-Yi 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,077801(2016) DOI: 10.7498/aps.65.077801 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.077801 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I7 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 基于衰减振荡信号特征参数和伪阻抗的电路参数计算方法 Circuit parameter calculation based on characteristic parameters and pseudo-impedance of damped os- cillationsignal 物理学报.2014,63(9): 098403 /10.7498/aps.63.098403 铌酸锂波导电光重叠积分因子的波长依赖特性分析 Analysesofwavelengthdependenceoftheelectro-opticoverlapintegralfactorforLiNbO channelwaveg- uides 物理学报.2014,63(7): 077801 /10.7498/aps.63.077801 Cu刃型扩展位错附近局部应变场的原子模拟研究 Atomisticsimulationstudyonthelocalstrainfieldsaround an extended edgedislocation in copper 物理学报.2014,63(7): 076103 /10.7498/aps.63.076103 激子复合区厚度对有机磁效应的影响 Theinfluenceoftheexcitionrecombinationzoneonthe organic magnetic-field effect 物理学报.2013,62(6): 067801 /10.7498/aps.62.067801 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 7 (2016) 077801 InGaN/GaN超晶格厚度对Si衬底GaN基蓝光 发光二极管光电性能的影响 齐维靖 张萌 潘拴 王小兰 张建立 江风益 1) (南昌大学, 国家硅基LED 工程技术研究中心, 南昌 330047) 2)(南昌大学材料科学与工程学院, 南昌 330031) ( 2015 年9 月30 日收到; 2016 年1 月12 日收到修改稿) 采用有机金属化学气相沉积技术在Si(111) 衬底上生长蓝光多量子阱发光二极管(LED) 结构, 通过在量 子阱下方分别插入两组不同厚度的InGaN/GaN 超晶格, 比较了超晶格厚度对LED 光电性能的影响. 结果显 示: 随超晶格厚度增加, 样品的反向漏电流加剧; 300 K 下电致发光仪测得随着电流增加, LED 发光光谱峰值 的蓝移量随超晶格厚度增加而减少, 但不同超晶格厚度的两个样品在300 K 下的电致发光强度几乎无差异. 结合高分辨X 射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜对样品的位错密度和V 形坑特征分析, 明确了两 样品反