PKA原子和SKA原子对同位素(溅射)富集度的贡献分析.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 8’ 8 $$ 8 ， ， ， H*1 98’ ;* 98 )/M $$ （ ） !$$$’:$J$$J8’ $8 J !8(($ 4.O4 2ST5U.4 5U;U.4 !$$ .N@+ 9 2NMD 9 5*E 9 ############################################################### !# 原子和$# 原子对同位素（溅射） 富集度的贡献分析! ）） ） ） ） ! ! ! # ! 郑里平 张虎勇 王庭太 马余刚 !）（中国科学院上海应用物理研究所，上海 $!%$$ ） ）（中国科学院国际材料物理中心，沈阳 !!$$! ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $$’ !’ $$’ % ( 用)*+,- ./01* 模拟方法，分析了234 原子和 534 原子对同位素（溅射）富集度的贡献。对于低能零剂量 ’ 8 溅射，同位素富集度是 原子的动量不对称性贡献 对于低能零剂量: !$$ 溅射，是 原子 .6 .6 534 9 )* )* 234 $ 78 $ 78 $ 78 $ 78 的动量不对称性贡献9 关键词：溅射，同位素富集度，动量不对称性 ： !#%% (:$; 度负效应相互抵消，同位素（溅射）富集度才是角无 关的；再增大到高轰击剂量（ !8 ） !7 引 言 K ! 78$ I !$ @*+DJ E? 时，由于表面成分梯度正效应，同位素（溅射）富集度 ［ ］ 多元材料溅射是一种在荷能粒子轰击下对材料 又是角有关的!: 9 表面原子尺度的侵蚀，是薄膜技术，材料表面分析及 由荷能离子撞击产生的反冲原子可分为 234 高剂量离子束材料改性等应用领域必须关注的 （ ）原子和 （ L0@?/0M G+*EG*+