in-as共掺杂gasb的第一性原理研究 first-principles study on in-as co-doped gasb.pdfVIP

下载本文档

9
0
约2.31万字
约 5页
2017-11-22 发布于上海
举报
版权申诉

in-as共掺杂gasb的第一性原理研究 first-principles study on in-as co-doped gasb.pdf

1、本文档共5页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

in-as共掺杂gasb的第一性原理研究 first-principles study on in-as co-doped gasb

第20卷第5期 VOI．20NO．5 2014年10月祭 № 中咖国阻粉测体姒枝M术刚№ ∞ Oct．2014 doi：lO．13732巧．issn．1008—5548．2014．05．009 ln—As共掺杂GaSb的第一性原理研究刘宝元8，马蕾舭，张雷8，周鹏力8，何静芳8 (河北大学a．电子信息工程学院；b．计算材料研究中心，河北保定071002) 摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法，计算器件具有质量轻、体积小、无污染、寿命长、可靠性高未掺杂，In、As单掺及In—As共掺GaSb的晶格参数、能带结构、态密度等优点，已经广泛应用于军事、航天、石油化工等领和吸收光谱。结果表明：掺杂后GaSb晶格发生畸变，As单掺GaSb的晶域【圳。室温下GaSb禁带宽度约为0．72eV【51，与近红外格常数增大，带隙减小，导致吸收光谱蓝移；而In单掺和In—As共掺 Gasb晶格常数变大，且禁带宽度均减小，致使吸收光谱红移，这也是实波段的光谱匹配较好，但中远红外波段的光子则不能验上造成掺杂GaSb热光伏电池吸收光谱扩展的原因。被其吸收，影响了GaSb热电转换器件的效率。如何关键词：第一性原理；掺杂；电子结构进一步拓宽Gasb材料的光谱吸收范围成为研究的● 中图分类号：TG146．2+3 文献标志码：A 颗热点邺J。研究表明H”，掺杂是一种有效的方法。In掺粒文章编号：l008—5548(2014)05一0037—05 杂可使禁带宽度减小【12】，但是单掺杂很难形成较高浓测度的掺杂，原因是单一原子掺杂后排斥作用较强，并试 ln—As On 与 First-principIesStudy 且容易形成电子一空穴的复合中心，不利于光生载流 GaSb 表 CO-dOped 征导体材料时提出了共掺杂理论，并预测了通过2种或 L，U Lei 8_6，2飘ⅣG8， Bno，似cm8，^伪Lei 2种以上原子掺杂可进一步提高材料的光电性质。 ZHoU a，HE a Pen醇i Jingt赢g 近年来，人们在实验方面已经对In—As共掺杂的 ofElectronicandIIIfo玎rIational (a．College