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2017-11-20 发布于江苏
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讲场效应管

*5、 N沟道增强型绝缘栅场效应管（1）结构：与耗尽型相比，绝缘层中没有掺正离子的，就是增强型（2）符号：虚线代表，一开始没有沟道说明是增强型（3）工作原理因为绝缘层中没有掺入正离子，所以不加压时，没有沟道当UGS=0时，总有一个PN结反偏，没沟道，ID=0 开启电压：在 UDS作用下，使ID大于零所需要的最小|UGS|值。当UGS0时，栅极到衬底之间建立电场吸引电子，达到UGS（off），靠近栅极表面形成自由电子薄层→反型层→导电沟道→ ID 当UGS UGS（off）后， UGS ↑→反型层愈厚→沟道电阻 ↓→ ID ↑ →实现电压控制电流导电沟道形成后，UDS变化对沟道的影响和结型场效应相似。由于UDS的存在，使沟道上各点与栅极间的电压不再相等。栅、漏极之间的电压UGD = UGS – UDS将小于栅源电压UGS，漏极附近的电场减弱，反型层变薄，使沟道变成楔形。 (a)UDS＜UGS – UGS(th) (b) UDS = UGS – UGS(th) (c) UDS＞UGS – UGS(th) （4）增强型NMOS管的特性曲线 (a)漏极特性； (b)转移特性 ID0是时的ID值。 *6、 P沟道绝缘栅场效应管(PMOS管) 增强型PMOS管的结构示意图三、场效应管的主要参数 2、夹断电压 3、开启电压 4、饱和漏电流 1、直流输入电阻：UDS=0时，UGS/IG ① 最大耗散功率PDM ② 最大漏极电流IDM ③ 漏极击穿电压U(BR)DS ④ 栅极击穿电压U(BR)GS 5、极限参数 J型：栅极与沟道间的反向击穿电压 MOS管：使绝缘层击穿的电压四、微变等效模型低频跨导的定义式为是转移特性曲线上某一点的切线的斜率，与切点的位置密切相关。四、场效应管微变等效模型低频跨导的定义式为是转移特性曲线上某一点的切线的斜率，与切点的位置密切相关。 ①在漏极特性上确定gm ②在转移特性上求gm ③用公式法求gm 耗尽型增强型四、场效应管和双极型三极管的比较 1 场效应管是电压控制元件，而双极型三极管则是电流控制元件。 2 场效应管是利用多数载流子导电(例如N型硅中的自由电子)，而双极型三极管既利用多数载流子又利用少数载流子。 3 场效应管的噪声系数比三极管要小。 4 有些场效应管的源极和漏极可以互换。 5 场效应管能在很小的电流、很低的电压条件下工作。 6 场效应管的工作频率较低，不适合高频运用。模拟电子线路退出下页上页首页哈尔滨工程大学模拟电子技术哈尔滨工程大学退出下页上页首页哈尔滨工程大学模拟电子线路退出下页上页首页哈尔滨工程大学模拟电子线路退出下页上页首页哈尔滨工程大学模拟电子线路退出下页上页首页哈尔滨工程大学模拟电子线路退出下页上页首页哈尔滨工程大学模拟电子线路退出下页上页首页哈尔滨工程大学模拟电子线路退出下页上页首页哈尔滨工程大学模拟电子线路退出下页上页首页哈尔滨工程大学模拟电子线路退出下页上页首页哈尔滨工程大学第四节场效应晶体管(FET) 单极型晶体管场效应管的特点：输入阻抗高、温度稳定性好、低噪声、易集成化分类：结型(JFET)和绝缘栅型(MOS) 一、结型场效应管(JFET) 1 结构与工作原理（1）构成场效应管(FET)是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，属于压控器件。由于它仅靠多子参加导电，又称单极型晶体管。结型场效应管又有N沟道和P沟道两种类型。（2）工作原理 N·JFET的结构及符号在同一块N型半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，引出的电极称为栅极G，N型半导体的两端引出两个电极，一个称为漏极D，一个称为源极S。P区与N区交界面形成耗尽层，漏极和源极间的非耗尽层区域称为导电沟道。两个PN结之间的N沟道 ①UDS决定耗尽层的楔形程度 ②UGS决定沟道的宽窄度 ③UDS、UGS同时作用工作原理结型场效应管的工作原理 ①当（即、短路）时，控制导电沟道的宽窄。时，对导电沟道的控制作用当且时，耗尽层很窄，导电沟道最宽。 (b)当增大时，耗尽层加宽，导电沟道变窄，沟