5讲场效应管.pptVIP

第五讲 场效应管 第五讲 场效应管 一、结型场效应管（以N沟道为例） 场效应管：是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。 场效应管优点：体积小，重量轻，寿命长等、且输回路的内阻高，噪声低、热稳定性好，抗幅射能力强且比后着耗电省， 场效应管分为：结型和绝缘型两种不同的结构， 2.栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 3.漏-源电压对漏极电流的影响 4.当uGDuGS(off）时，uGS对iD的控制作用 在uGD=uGS－uDS=uGS（0ff），即udsugs－ugs（off）的情况下，当uds为一常量时，对应于确定的ugs，就有确定的 id。此时，可以通过改变ugs来控制id的大小。由于漏极电流受栅－源电压的控制，故称场效应管为电压控制元件。与晶体管用β(=?ic/?ib)来描述动态情况下基极电流对集电极电流的控制作用类似，场效应管可以用gm来描述动态的栅－源电压对电流的控制作用，gm称为低频跨导： gm=?iD/?uGS。 由以上分析可知： （1）在uGD=uGS－uDSUGS（off）的情况下， 即当udsugs－ugs（0ff）（即当g－d间未出现夹断）时，对应于不同的ugs，d－s间等效成不同阻值的电阻。 （2）当uds使ugd＝ugs（off）时，d－s之间预夹断。 （3）当uds使ugd《ugs（off）时，id几乎仅决定于ugs，而与uds无关。此时可以把id近似看成ugs控制的电流源。 5.输出特性 （1）可变电阻区（也称非饱和区）：图中的虚线为预夹断轨迹，它是各条曲线上使uds＝ugs－ugs（off）【即ugd＝ugs（0ff）】的点连线而成的，ugs愈大，预夹断时的uds值愈大。预夹断轨迹左边的区域称为可变电阻区，该区域中曲线近似为不同斜率的直线。当ugs确定时，直线的斜率也唯一确定，直线斜率的倒数为d－s间等效电阻的阻值，故称之为可变电阻区。 （2）恒流区（也称饱和区）：图中预夹断轨迹右边的区域为恒流区。当uds〉ugs－ugs（off）（即ugd ugs（off））时，各曲线近似为一组横轴的平行线。当uds增大时，id仅略增大。因而可将iD近似为电压ugs控制的电流源，故称该区域为恒流区。 （3）夹断区:当ugs ugs（off）时，导电沟道被夹断，iD约为零，即图中靠近横轴的部分，称为夹断区。一般将使iD等于一个很小的电流（如5μA）时的ugs定义为夹断电压ugs（off）。 另外，当uDS增大到一定程度时，漏极电流会突然增大，管子将被击穿。由于这种击穿是由于栅－漏间耗尽层破坏而引起的，因而若栅－漏击穿电压为U(BR)GD，则漏－源击穿电压U(BR)DS ＝ugs－ U(BR)GD ，所以当ugs增大时漏源击穿电压将增大，如图1.4.5所示。 6.转移特性 二、绝缘栅型场效应管 绝缘栅型场效应管的栅极与源极.栅极与漏极之间均采用sio2绝缘层隔离，因此而得名。又因栅极为金属铝，故又称MOS管。它的栅-源间电阻比结型场效应管大得多，可达1010欧以上，还因为它比结型场效应管温度稳定性好.集成化时工艺简单，而广泛应用于大规模或超大规模集成电路中。 1.N沟道增强型MOS的构成 它以一块低搀杂的p型硅片为衬底，利用扩散工艺制作上两个高搀的N＋区，并引出两个电极，分别为源极s和漏极d，半导体之上制作一层sio2绝缘层，再在sio2制作一层金属铝，引出电极做栅极g。通常将衬底和源极连接在一起使用。这样，栅极和衬底各相当于一个极板，中间是绝缘层，形成电容。 2.增强型MOS管uGS，uDS对iD的影响 3.耗尽型MOS管 4.MOS管的特性 5.场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 三、主要参数 1.开启电压UGS(th) (或UT)：是增强型MOS管参数， UGS〉UGS(th)开始出现漏极电流。 2.夹断电压UGS(off) (或UP)：结型场效应管和耗尽型MOS的参数，当UGS=UGS(off) 时, 漏极电流为零。 3.饱和漏极电流IDSS：结型和耗尽型场效应管, 当UGS=0时所对应的漏极电流。 4.最大漏极电流IDM：管子正常工作时漏极电流的上限值。 5.输入电阻RGS：栅源电压与栅源电流之比，结型场效应管的RGS大于107Ω，绝缘栅型场效应管的RGS大于109Ω。 四、场效应管与晶体管的比较 输入电阻高,不索取电流 只有多子参与导电 噪声系数小 漏源极可以互换 种类比晶体管多, 集成工艺简单,耗电省,工作电源电压范围宽 五、举例说明 测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表1所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(夹断区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。 已知T1： UGS(th)=4；US=-5 ； UG=1