清华模电课件第四课时.pptVIP

二.输出特性曲线 是指iB为某一常数时，三极管的输出电流iC与输出电压uCE之间的关系曲线。 O IB 减小 IB增加 UCE IC IB = 20μA IB =60μA IB =40μA IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC≈0,UBE 死区电压，称为截止区。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 1、截止区 发射结和集电结均为反偏， 各电极电流很小，相当于一个断开的开关。 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 截止区 ICEO 饱和区 输出特性曲线中，UCE≤UBE的区域，即曲线的上升段组成的区域称为饱和区。饱和区的特点是：发射结和集电结均为正偏。 工作在此区的三极管相当于一个闭合的开关，没有电流放大作用。 饱 和 区 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 放大区 截止区 ICEO iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 放大区： 放大区 截止区 条件： 发射结正偏 集电结反偏 特点： 水平、等间隔 ICEO 此时IC受控于IB；同时IC与UCE基本无关，可近似看成恒流。此区内三极管具有电流放大作用。 * 1.3　双极型三极管(BJT) 　　又称半导体三极管、晶体管，或简称为三极管。 (Bipolar Junction Transistor) 三极管的外形如下图所示。 　　三极管有两种类型：NPN 和 PNP 型。主要以 NPN 型为例进行讨论。 图 1.3.1　三极管的外形 威廉·肖克利(William Shockley)：晶体管之父、1956年度诺贝尔物理学奖获得者(摘要版) 肖克利，1910年生于伦敦。3岁随父母举家迁往加州。从事矿业的双亲从小灌输科学，加上中学教师斯拉特的熏陶，他考入了加州理工学院，后进入麻省理工(MIT)，修成博士后留校任教。 肖克利，这位20世纪最具才华的人物，也是最让人难以捉摸的人物。对管理技巧一窍不通，甚至跟人打交道的能力都没有，却偏偏十分自以为是。一位硅谷经理人员说他是一位天才，又是一位十足的废物。 在贝尔实验室期间与人共同发明晶体管，被媒体和科学界称为20世纪最重要的发明。 他率先引导硅谷走向电子产业新时代。 他不相信任何人。如果我们在实验室搞出什么名堂，他需要打电话给贝尔实验室的老朋友，问这是不是真的，这对提高士气没有任何积极影响。肖克利跟人说话，总象对待小孩子一样，态度日趋傲慢。他的门徒们提议研究集成电路，但肖克利拒绝了他们的建议。到1957年，8人中有7人产生跳槽的想法。 肖克利大发雷霆，把他们称作叛徒，时称叛逆八人帮，成了硅谷最著名的典故之一。他们创办了具有传奇色彩的仙童公司。 　　肖克利的梦想破灭了。但他的叛逆八人帮成了硅谷最重要的火种。几年后，他们发明了集成电路，改变了整个世界。 肖克利以自己惨痛的失败成全了硅谷的繁荣。但也有人说，肖克利对硅谷来说是一种报应。因为在肖克利之后，原先由HP创立的标准从此走向消亡，肖克利留下的东西弥漫在硅谷上空：贪婪、天才、忠诚瓦解、野心、悲剧和突然的毁灭，正是这些构成了未来硅谷周期性的特征。 8个人如此决断地离去，是肖克利一生中最大的打击，他永远不会原谅他们。但是三年后，在一次商业宴会上，他偶遇诺宜斯，肖克利还是率先打招呼：你好，罗伯特，然后便走开了。从那以后，他们有近20年时间没再说过话。