发光显示材料十三章第三节.pptVIP

13.3 材料制备（晶体生长） 强制电离辐射检测的闪烁体（单晶体） 单晶闪烁体在发射范围内有较高的光透射性 结构中不含气泡和沉淀物（导致光消散） 晶体中的缺陷会降低材料耐辐射性能 晶体材料应满足的条件：单晶体应有一合适的熔点 坩埚下降法(适用低熔点材料单晶生长)： 原料：高纯度碱金属卤化物 提拉法（从熔体中直接拉出晶体的方法，优点在于降低晶体在冷去时产生的热应力，获得较完美的晶体）： 小籽晶作为晶种诱导单晶生长 工业制备单晶方法 焰熔法、熔盐法 水热法、提拉法 坩埚下降法、区熔法 装有原料的尖嘴坩埚 温度梯度50℃/cm的炉子 高于材料熔点50~100度 真空无氧化性环境 T温度达平衡后下降坩埚到低温区V≈1~4mm/h 坩埚尖底部位T过冷，熔体在尖端处结核 坩埚下降，晶体长大，整个熔体结晶 此方法晶体的生长速度可达1mm/h，碱金属卤化物晶体的直径可达75cm，约半吨重，由5~10个单晶体单元组成。 坩埚下降法生长晶体装置 每个加热区的T可以单独进行程序温度控制，炉子纵向移动。 现在几乎所有碱金属卤化物的晶体生长都是采用pt坩埚制备。 BaF2 CeF3晶体的生长也可采用坩埚下降法进行 熔体置于坩埚 电阻加热 高频加热 将晶种杆固定在钢制拉杆的末端 籽晶的纵向延晶种杆的轴向移动 将籽晶浸渍于熔体中，调节熔体温度，直至能支撑弯液面 固液平衡后，过冷的熔体就会环绕籽晶结晶 调节熔体温度和提拉速度可控制晶体的直径(20~80rpm) 不同的晶体材料提拉速度变化较大氧化物晶体的速度为1mm/h,卤化物则为几十mm/h 无论哪种方法生长的单晶在生长过程中形成的热应力均不很大，但对光学性质的影响却是相当严重，因此晶体生长完后需进行退火处理，在真空加热炉或是卤化物气氛的炉内，提高晶体的光学性质，避免加工器件过程中炸裂。