溅射后硒化法制备的CIGS薄膜中Ga元素扩散研究.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 11 (2014) 118802 溅射后硒化法制备的CIGS薄膜中 Ga元素扩散研究 毛启楠 张晓勇 李学耕 贺劲鑫 于平荣 王东 1)(北京大学工学院, 北京 100871) 2)(普尼太阳能(杭州) 有限公司, 杭州 310051) ( 2014 年1 月27 日收到; 2014 年2 月25 日收到修改稿) 溅射后硒化制备Cu(In, Ga)Se 吸收层工艺过程中, Ga 元素在吸收层底部富集现象是较为普遍的. 本文 从预制层工艺和硒化工艺两个方面研究了Ga 元素在Cu(In, Ga)Se 吸收层中扩散的影响因素. 结果表明, 预 制层中的Cu/(In+Ga) 和硒化温度对Ga 元素扩散的影响较为显著, 而预制层中的Ga/(In+Ga)