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第八章 敏感陶瓷---压敏陶瓷 压敏陶瓷 概述 定义 性质 ZnO压敏陶瓷 压敏陶瓷 定义 用于制作对电压变化敏感的非线性电阻。在某一临界电压以下电阻值非常高，几乎没有电流通过，但当超过这一临界电压时，电阻将急剧变小，并有电流通过。 压敏陶瓷的性质 I-V特性：I=(v/c)a 压敏电压值： 常用一定电流（0.1-1mA）时的电压表示压敏性能，称为压敏电压值。V0.1mA，V1mA 电压温度系数:αv=Δv/v1Δt 漏电流 通流量 老化性能 主要压敏陶瓷材料 ZnO 系 TiO2 系 WO3系 SrTiO3 系 BaTiO3系压敏陶瓷材料 SiC SiC 一直是最重要的压敏电阻器，但由于其a值很小（3~7），所以早在50年代，各工业发达国家就开始研究新的压敏电阻元件。 1957年，有人开始研究ZnO基系列的压敏电阻器。 ZnO压敏陶瓷 概述 晶体结构特征 ZnO压敏陶瓷的性质及敏感机理 影响ZnO陶瓷压敏性能的主要因素 制备工艺 应用 ZnO系压敏陶瓷概述 ZnO 系是压敏电阻陶瓷材料中性能最优异的一种 1968 年日本松下公司首先开发出ZnO 压敏电阻器 1972 年应用于过电压吸收 1974 年开始用于高压方面，后又用作避雷器，高能过电压吸收(1977) 、大电流过电压吸收(1979) 1975 年以前，ZnO 压敏电阻主要用在高压方面 1975年开始在低压方面获得应用，如汽车电子线路以及IC 保护 在新的要求下，向低压化、高压化、高能化、大型化等自控装置发展。 ZnO压敏陶瓷的发现过程 1967年7月，日本松下电器公司无线电实验室的松冈道雄在研究金属电极-氧化锌陶瓷界面时，无意中发现氧化锌（ZnO）加氧化铋（Bi2O3）复合陶瓷具有非线性的伏安特性。 进一步实验又发现，如果在以上二元系陶瓷中再加微量的三氧化二锑（Sb2O3）、三氧化二钴（Co2O3）、二氧化锰（MnO2）、三氧化二铬(Cr2O3)等多种氧化物，这种复合陶瓷的非线性系数可以达到50左右，通流能力不亚于碳化硅（SiC）材料，临界击穿电压可以通过改变元件尺寸方便地加以调节。 1972年美国通用电气公司购买了日本松下电器公司有关氧化锌压敏材料的大部分专利和技术决窍。自从美国掌握了氧化锌压敏陶瓷的制造技术以后，大规模地进行了这种陶瓷材料的基础研究工作。 我国压敏电阻器 我国压敏电阻器始于1976 年，其规模性生产是近几年才有所发展的，产品的性能和产量已基本能满足国内自身的需要，但与国际同行业相比仍存在一定的差距，如日本松下、德国西门子、美国Harris、日本北陆等公司的年产量都超过亿只，市场上的后起之秀是中国的台湾，总产量达100M/ 月，而国内产量上亿只的生产厂家很少，只有一两家。 我国压敏电阻器 目前，日本、美国在制造低压压敏电阻方面处于领先地位，如美国GE 公司、日本的松下公司，他们制造的产品标称电压较低，非线性可达到30，通流容量也较大。 我国这种产品的研制与生产还比较落后，标称电压低于20V 的产品只有个别厂家可以生产，且性能不够稳定，还不能大批量生产，而国内对这种产品的需求量与日俱增。 ZnO的晶体结构特征 ZnO具有纤锌矿结构，其中氧离子以六方密堆排列，锌离子占据一半四面体间隙 Eg=3.34eV N-type semiconductor ZnO压敏陶瓷的性质及敏感机理 ZnO 压敏电阻器伏安特性 从ZnO 压敏电阻器伏安特性来看，在正常工作电压下，它的电阻值很高，几乎是兆欧级、漏电流是微安，而随电压加大，阻值急剧下降，阻值几十欧姆，甚至0. 1～1Ω ，可见阻值随电压而变化。 ZnO 压敏电阻器的主要性能 非线性特性优良（a＞50） 响应速度快（＜25 ns） 漏电流小 通流容量大（≥2 500 A/cm2）等优点 在近30 多年间，作为压敏电阻器典型代表之一在通信、电力、家电和工业控制等诸多领域得到了广泛的应用，在压敏电阻器中占据主要地位。 ZnO高压压敏电阻器 它的通流量高达4 ×103A/cm 2 ?值达110 压敏电压为380 V/m m。 非线性I-V特性： I = (V/C)? I－压敏电阻电流，V－施加电压， ? －非线性指数 ? 值越大，非线性越强，即电压增量所引起的电流相对变化越大，压敏特性越好。 ? ? 1，欧姆特性， ? ? ?， 理想的非线性变阻器 C－非线性电阻值， Vc－压敏电压－在厚度为1mm样品上通过1mA电流所产生的电压降 ZnO半导瓷的微观结构和导电机理 ZnO 晶体禁带很宽 ，但却具有n 型半导电性质，这与晶体中出现的填隙锌和氧空位现象有关 ZnO半导瓷的微观结构和导电机理 本征缺陷： 组成：ZnO + Sb2O3, Bi2O3, CoO, MnO, Cr2O3… Mn