模拟电子技术基础傅丰林第1章.pptVIP

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  • 2017-11-22 发布于广东
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晶体二极管和 晶体三极管 第1章 1.1 半导体的基础知识 1.1.1 本征半导体 1.2 PN结与晶体二极管 1.3 特殊二极管 解: 1.4 晶体三极管 PPT研究院 POWERPOINT ACADEMY 1.3.4 变容二极管 变容二极管利用PN结的势垒电容效应制作。 变容二极管必须工作于反向偏置状态。 1.4.1 晶体三极管的结构与符号 1.4.2 晶体管的放大作用 1.4.3 晶体三极管特性曲线 1.4.4 晶体管的主要参数 三极管存在:两结三极三区 1.4.1 晶体三极管的结构与符号 发射区(E区):发送载流子; 基区(B区):传输载流子; 集电区(C区):收集载流子。 1.4.2 晶体管的放大原理 晶体管具有放大作用的条件 发射区重掺杂 基区很薄,轻掺杂 集电结面积大 发射结正偏,集电结反偏 1. 载流子传输过程(以NPN管为例) 1.4.2 晶体管的放大原理 (1)发射区向基区注入电子( IEn ) IE n IEp ,发射极电流IE≈IEn (2)注入电子在基区边扩散边复合( IBn ) 基区复合电流,是基极电流IB 的一部分。 1.4.2 晶体管的放大原理 1. 载流子传输过程(以NPN管为例) (3)集电区收集扩散来的电子 ( ICn

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