CYTLP521规格书CN.docxVIP

概述CYTLP521是可控制的光电藕合器件，电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。四引脚封装，三种形式（DIP、DIP-M、SMD）特性电流转换比 (CTR)范围: 50~600% （IF =5mA ,VCE =5V）输入-输出隔离电压 (Viso=5000 Vrms)集电极-发射极击穿电压BVCEO≥80VApplications开关电源，智能电表工业控制，测量仪器办公设备，比如复印机家用电器，比如空调、风扇、热水器等结构原理图和封装Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)参数符号额定值单位输入正向电流IF50mA反向电压VR6V功耗P70mW输出集电极功耗PC150mW集电极电流IC50mA集电极-发射极电压VCEO80V发射极-集电极电压VECO7V总功耗Ptot200mW隔离电压Viso5000Vrms工作温度Topr-55~+110°C储存温度Tstg-55~+125°C焊接温度Tsol260°C光电特性 (Ta=25C)ParameterSymbolConditionMin.Typ.Max.Unit输入正向电压VF1IF=10mA1.0-1.3V正向电压VF2IF=20mA1.1-1.4V反向电流IRVR=5V--10μA终端电容CtV=0,f=1kHz-30250pF输出集电极暗电流ICEOVCE=50V--100nA集电极-发射极击穿电压BVCEOIC=0.1mA, IF=080--V发射极-集电极击穿电压BVECOIE=10μA, IF=07--V传输特性电流转换比CTRIF=5mA, VCE=5V130-600%隔离电阻VCE(sat)IF=2mA,IC=5mA-0.250.8V集电极-发射极饱和压降RISODC500V,40~60%R.H.1x1012--?隔离电容CfV=0, f=1MHz-0.61.0pF截止频率FcVCE=5V, IC=2mA, RL=100?, -3dB-80 -kHz开关时间上升时间TrVCE=10V, IC=2mA,RL=100?-2-μs下降时间Tf-3-μs开启时间Ton-3-μs关断时间Toff-3-μs开启时间TonRL = 1.9 kΩ VCC = 5 V, IF = 16 mA-2-μs存储时间Ts-15-μs关断时间Toff-25-μs* CTR=IC/IFx 100%CTR分级表型号分级标准电流转换率(%)(IC/IF)标志分类IF = 5mA, VCE = 5V, Ta = 25°CMinMaxCYTLP521A50600Rank Y50150Rank GR100300Rank BL200600Rank GB100600图.1 测试电路图.2 电流转换比 vs. 正向电流曲线图电流转换比 CTR (%)正向电流 IF (mA)图.3 正向电流 vs. 正向电压曲线图正向电流 IF(mA)正向电压 VF (V)图.4 集电极电流 vs. 集-发电压曲线图集电极电流 IC (mA)集电极-发射极电压 VCE (V)图.5 相对电流转换比 vs.环境温度曲线图相对电流转换比 (%)环境温度 Ta(C)图.6 饱和压降 vs. 环境温度曲线图饱和压价 VCE(sat) (V)环境温度 Ta(C)图.7 集电极暗电流 vs.环境温度曲线图集电极暗电流 ICEO (nA)环境温度 Ta(C)图.8 响应时间 vs.负载电阻曲线图响应时间 (μs)负载电阻RL (k)图.9 频率响应曲线图电压增益Av (dB)频率 f (kHz)图.10 饱和压降vs. 正向电压曲线图饱和压降 VCE(sat) (V)正向电压 IF (mA)外形尺寸Unit: mm(inch)4-pin DIP4-pin DIP (M Type)4-pin SMD回流焊温度曲线图包装■ 汇总表封装形式包装方式盘/管数量盒数量箱数量静电袋盒规格箱规格备注SMD-4卷盘(?330m蓝盘)2千只/盘2 盘/盒10 盒/箱380*380mm340*60*340mm620*360*365mm首尾端空至少200mm min. DIP-4管装(500*12*11mm)100只/管60 管/盒6 盒/箱NA525*128*56mm535*275*300 mmDIP-4 (M)管装 (500*13*11mm)100只/管60 管/盒6盒/箱NA525*136*58mm535*295*310 mm■ DIP-4 条管包装每箱数量：60000只内包装：每条管100 只，采用防静电条管，条管上有商标、防静电标志。每盒60条管示意图:■ SMD-4 编带包装每卷数量：2000只. 每箱数量：40000 只.内包装：每卷盘2000只.示意图：