关关雎鸠 南邮 微电子导论课件 ch2.pptVIP

杂质能级的补偿 EC EV N型补偿（NDNA） EC EV P型补偿（NAND） 2.4.3杂质能级 目录 半导体的概念 半导体的晶体结构 能带理论 半导体的掺杂 载流子的输运 电子：Electron，带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子。 空穴：Hole，带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位。 半导体中的载流子 P B Si4+ Si4+ Si4+ Si4+ Si4+ Si4+ Si4+ 电 子 浓 度 n（negative） 空 穴 浓 度 p（positive） 2.5.1 半导体中的载流子 本征载流子浓度 n=p=ni 本征浓度ni的影响因素： （1）禁带宽度EG EG↑，ni↓； EG ↓ ，ni ↑ 。 （2）温度T。 T↑，ni↑； T ↓ ，ni ↓ 。 EC EV 室温时硅的本征载流子浓度为： ni=1.5×1010cm-3 2.5.1 半导体中的载流子 在非本征情形: 热平衡时: N型半导体：n大于p P型半导体：p大于n 非本征载流子浓度 2.5.1 半导体中的载流子 多子：多数载流子 n型半导体：电子 p型半导体：空穴 少子：少数载流子 n型半导体：空穴 p型半导体：电子 多子和少子 2.5.1 半导体中的载流子 n型半导体：电子 n ? N