第6章MOSFET地电气特性.PDFVIP

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2017-11-27 发布于江苏
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第6章MOSFET地电气特性.PDF

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第6章MOSFET地电气特性

第6 章 MOSFET 的电气特性第6 章 MOSFET 的电气特性本章目录 6.1 MOS物理学 6.2 nFET 电流-电压方程 6.3 FET的RC模型 6.4 pFET特性 6.5 小尺寸MOSFET模型 2017-9-7 第6章 MOSFET 的电气特性 1 §6.1 MOS物理学 NMOS 的电流和电压 I I (V , V ) Dn Dn GSn DSn 2017-9-7 第6章 MOSFET 的电气特性 2 §6.1 MOS物理学 MOS 的结构 ε −14 C ox ε 3.9ε ,ε 8.854 ×10 F/cm ox ox 0 0 t ox 2017-9-7 第6章 MOSFET 的电气特性 3 §6.1 MOS物理学 MOS 的结构中的电压 V V +φ V ：氧化层的电压降；φ ：表面电势 G ox S ox S Q −C V Q ：表面电荷密度，单位：C/cm2 S ox ox S 2017-9-7 第6章 MOSFET 的电气特性 4 §6.1 MOS物理学 MOS结构中的体(耗尽) 电荷 Q − 2qε N φ Q ：体电荷密度，单位：C/cm2 B Si a s B ε 11.8ε ；N ：衬底掺杂浓度 Si 0 a 2017-9-7 第6章 MOSFET 的电气特性 5 §6.1 MOS物理学 MOS 的结构中的电子电荷 QS QB +Qe Qe：反型层电子密度 V V 时，Q −C (V −V ) G Tn e ox G Tn 2017-9-7 第6章 MOSFET 的电气特性 6 §6.1 MOS物理学阈值电压公式阈值电压：衬底表面形成强反型时的栅源电压。强反型：反型层中的载流子浓度与衬底的多数载流子浓度相等。当表面电势φS 2 |φF | 时，衬底表面出现强反型 ⎛ ⎞ ⎛ ⎞ kT N