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目录 PECVD定义 PECVD 原理 PECVD的特点 PECVD种类 PECVD的镀膜作用 PECVD的钝化作用 PECVD 安全 PECVD定义 PECVD ：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 等离子体：气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态，这种形态就称为等离子态。 PECVD 原理 PECVD 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 PECVD的特点 PECVD的一个基本特征是实现了薄膜沉积工艺的低温化（450℃）。因此带来的好处： 节省能源，降低成本 提高产能 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减 PECVD种类 直接式—基片位于一个电极上，直接接触等离子体（低频放电10-500kHz或高频13.56MHz） ; 间接式—基片不接触激发电极（如2.45GHz微波激发等离子）。 PECVD的镀膜作用 减少光反射， 提高电流密度， 防污染，防变色， 提高稳定性。 Si/N比对膜性质的影响 氮化硅薄膜的折射率随着[SiH4∶N2]/[NH3] 的流量比的增加而增大，这是由于硅含量逐渐增加所导致（富硅比富氮致密） 氮化硅薄膜的电阻率随[SiH4∶N2]/[NH3]的流量比的增加而增加。 * * PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温实现。 一般说来,采用PECVD 技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程： （一）在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物； （二）各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运，同时发生各反应物之间的次级反应； （三）到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出。 （一） 在辉光放电条件下，由于硅烷等离子体中的电子具有几个ev 以上的能量，因此H2和SiH4受电子的碰撞会发生分解，此类反应属于初级反应。若不考虑分解时的中间激发态，可以得到如下一些生成SiHm（m=0,1,2,3）与原子H 的离解反应： e+SiH4→SiH2+H2+e (2.1) e+SiH4→SiH3+H+e (2.2) e+SiH4→Si+2H2+e (2.3) e+SiH4→SiH+H2+H+e (2.4) e+H2→2H+e (2.5) 按照基态分子的标准生产热计算，上述各离解过程(2.1)~(2.5)所需的能量依次为2.1、4.1、4.4、5.9eV 和4.5eV。 等离子体内的高能量电子还能够发生如下的电离反应： e+SiH4→SiH2++H2+2e (2.6) e+SiH4→SiH3++ H+2e (2.7) e+SiH4→Si++2H2+2e (2.8) e+SiH4→SiH++H2+H+2e (2.9) 以上各电离反应(2.6)~(2.9)需要的能量分别为11.9，12.3，13.6和15.3eV，由于反应能量的差异，因此(2.1)~(2.9)各反应发生的几率是极不均匀的。 此外，随反应过程(2.1)~(2.5)生成的SiHm也会发生下列的次级反应而电离，例如 SiH+e→SiH++2e (2.10) SiH2+e→SiH2++2e (2.11) SiH3+e→SiH3++2e (2.12) 上述反应如果借助于单电子过程进行，大约需要12eV 以上的能量。鉴于通常制备硅基薄膜的气压条件下（10～100Pa）,电子密度约为1010cm-3的弱电离等离子体中10eV 以上的高能电子数目较少,累积电离的几率一般也比激发几率小，因此硅烷等离子体中，上述离化物的比例很小，SiHm的中性基团占支配地位，因为所需能量不同，SiHm的浓度按照SiH3,SiH2,Si,SiH 的顺序递减。 （二） 除上述的离解反应和电离反应之外，离子分子之间的次级反应也很重要： SiH2++SiH4→SiH3++SiH3 (2.13) 因此