【精选】2015年北京理工大学887电子科学与技术基础考研大纲,考研参考书,考试形式.pdfVIP

才思教育考研考博全心全意 北京理工大学887电子科学与技术基础考研大纲 1．考试内容 （1）电子技术基础部 主要包括二极管、三极管的结构、特性及主要参数；掌握饱和、放大、截止 的基本概念和条件。晶体管放大电路的组成和工作原理。掌握图解分析法和等效 模型分析法。掌握放大电路的三种组态及性能特点。电路的三种耦合方式及特点。 反馈的基本概念：正、负反馈；电压、电流、串联、并联负反馈；掌握反馈类型 和极性判断，引入负反馈对放大性能的影响。比例、加减、微积分线性运算电路。 一般了解对数、指数运算电路的工作原理及一阶、二阶有源滤波器的电路组成、 频率特性。了解产生自激振荡的条件。掌握电压比较器，用电压比较器组成的非 正弦发生电路。掌握逻辑代数的基本公式、基本规则；逻辑代数的表示方法及相 互转换。掌握各种门的逻辑符号、功能、特点、使用方法。正确理解TTL 门和 CMOS 门电路的结构、工作原理。 （2）电磁场理论部 主要考察考生对电磁理论基本内容的理解和掌握程度，以及灵活应用知识的 能力。试卷命题对大纲内容有覆盖性和广泛性，题型主要包括概念题、计算题和 证明推导题。应掌握的基本内容为：①矢量分析：三种常用坐标系内的梯度、散 度和旋度的运算、几种重要矢量场的定义和性质；②静电场：库仑定律、电场与 电场强度、高斯定律、静电场的环路定律、电位和电位差、电位的泊松方程和拉 普拉斯方程、电偶极子、电介质中的静电场、静电场中的导体、电场能量与静电 力；③恒定电场和电流：恒定电流场的基本定律、欧姆定律和焦耳定律、恒定电 流场的边界条件、恒定电流场与静电场的类比；④恒定磁场：安培磁力定律和毕 奥沙伐定律、恒定磁场的基本定律、矢量磁位和标量磁位、磁偶极子、磁介 质中恒定磁场基本定律、磁介质的边界条件；⑤静态场的边值问题：拉普拉斯方 程的分离变量法、镜象法、有限差分法；⑥电磁感应：法拉第电磁感应定律、电 感、磁场的能量；⑦时变电磁场：位移电流和推广的安培回路定律、麦克斯韦方 程组、正弦电磁场、媒质的色散与损耗、坡印廷定理、电磁场的波动方程、标量 更多资料下载： 才思教育考研考博全心全意 位和矢量位、时变电磁场的边界条件；⑧平面电磁波：理想介质中的均匀平面电 磁波、电磁波的极化、有耗媒质中的均匀平面电磁波、理想媒质界面上电磁波的 反射和折射、全折射和全反射；⑨导行电磁波：矩形波导管中的电磁波、TE10 模电磁波、波导中的能量传输与损耗、传输线上的TEM波、谐振腔；⑩电磁波 辐射：赫芝偶极子辐射、磁偶极子天线的辐射、线天线、天线的方向性系数和增 益。 （3）半导体物理部 主要包含半导体中的电子状态；半导体中的电子状态和能带、电子的运动， 本征半导体的导电机构、空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构；半导体中的杂质 和缺陷能级，硅、锗晶体中的杂质能级、缺陷、位错能级；半导体中载流子的统 计分布、状态密度，费米能级、载流子浓度的计算，简并半导体；载流子的位移 与扩散运动，载流子的散射、迁移率、电阻率、强场效应、热载流子、多能谷散 射，耿氏效应；非平衡载流子的注入，复合寿命，费米能级，复合理论，陷阱效 应，载流子的迁移运动，爱因斯坦关系，连续性方程；PN结的伏安特性，PN 结电容，击穿；金属和半导体的接触的理论，少子的注入与欧姆接触；表面态， 表面场效应，C-V特性，表面电场对PN结特性的影响；半导体的光学性质，光 电性质，发光现象，半导体激光器；半导体的热电性质，温差电动势率，热电效 应及其应用；半导体磁效应和压阻效应。 2．考试要求 （1） 电子技术基础部分要求全部考生必做； （2） 电磁场理论部 （A）要求报考02 电磁仿真与天线、03 毫米波太 赫兹技术与系统方向考生必做； （3） 半导体物理部分（B）要求报考04 微电子与集成电路方向考生必 做； （4） 报考其他方向考生可任选A或B。 3．题型及分值安排 (1) 题型:简答题和计算题。简答题包含概念题和重要数学公式及其物理意 义，计算题包含数学模型、重要物理量计算、设计等。 (2) 分值安排：简答题占40%，计算题占60%。 更多资料下载：