【精选】FET 的特性与应用电路.pdf

FET的特性與應用電的特性與應用電路 路 的特性與應用電的特性與應用電路路 電界效應半導體(FET: Field Effect Transistor ，以下簡稱為FET)與電晶體同樣擁有古老的歷史 ，兩者最大差 異是 FET 的消費電力比一般電晶體更低 ，目前FET 大多應用在微處理器數位 IC/LSI 、無線系統的Front-end 、 Switching 電源控制器 ，以及馬達驅動控制器等領域。接著本文要利用模擬分析深入探討FET 的動作特性與 應用電路 FET 的動作原理的動作原理 的動作原理的動作原理 FET 與電晶體一樣都是屬三端子半導體元件 ，雖然它的外形隨著用途有各種形狀，不過動作原理卻完全相 同。如圖 1 所示 FET 依照內部結構可以分成 2 大類 ，分別是Gate Channel 之間有二極體的 FET ，與Gate Channel 之間呈絕緣狀的 FET 。 圖 2 是 FET 電路圖常用符號 ，由圖可知常用符號依照內部結構也分成2 大類 ，分別是N 型 Channel 與 P 型 Channel ；三個端子的名稱分別Gate 、Source 、Drain ，雖然FET 的動作原理與電晶體不同 ，不過功能上 Gate 相當於電晶體的 Base ，Source 相當於電晶體的 Emitter ，Drain 相當於電晶體的 Collector(圖 3) 。 圖 1 FET 的分類 圖 2 FET 電路圖常用符號 圖 3 FET 的 3 根端子功能說明 圖 4 是外部電壓施加於 Gate 與 Source 之間時的 Drain 電流流動特性模擬分析電路圖 ，為了將電壓施加於至 Drain與 Source 之間 ，因此本電路的信號源使用萬用電壓源VSRC ，此外模擬分析用元件使用N Channel Type 的 MOSFET 2SK3377 。 圖 5 是 Gate 與 Source 之間的電壓 V ( =V ) 作-4V ~ +4V 變化時 ，利用DC 分析法觀察 Drain 電流 I 的變化 GS 1 D 所獲得的結果 ，根據圖5 分析結果顯示 VGS 比 2.5V 更高時 ，從外部朝FET 方向流動的 Drain 電流會流動 ， 由此可知 FET 可以利用 VGS 控制 ID ，這意味著電晶體是利用Base 控制 Collector 電流 ，因此它屬於電流控 制元件 ；FET 則是利用 Gate 與 Source 之間的電壓控制 Drain 電流 ，因此屬於電壓控制元件。 圖 5 的橫軸為 Gate 與 Source 之間的電壓 VGS ，縱軸為Drain 電流 ID ，圖中的座標曲線表示FET 特性極為重 要的順向傳達特性 。 圖 4 N Channel MOSFET 的 Drain 電流流動特性模擬分析電路 圖 5 圖 4 的 VGS - ID 特性