【精选】GaN微电子器件的研究进展.pdfVIP

28　 1 　 　　　　　 　 Vol.28 No.1 2011 3 Journal of the Hebei Academy of Sciences Mar.2011 :1001-9383(2011)01-0049-07 GaN 1 2, 3,4 5 吕　曼 , 司晓琨 , 杨立军 (1., 　100022;2., 　050081; 3., 　050081; 4. , 　050081;5., 　050000) :介绍了GaN 材料的优良特性以及工艺上存在的问题;着重介绍了GaN 微电 器件的历史发展和最 新发展;GaN 微电 器件发展表现出较大应用潜力。 :GaN;GaN 材料;GaN 器件 :TN604 :A The research of the GaN microelectronic devices 1 2, 3,4 5 LV Man , SI Xiao-kun , YANG Li-jun (1.Institute of Electronic Inf orma tion Contro l Eng ineering,Beij ing Un iversity of Technology, Beij ing 100022; 2.Institute of Ap p lied Mathematics, Hebei Academy of Science, S hij ia huang Hebei 050081, China; 3.SJ ZJK S S Tech no logy Co., L td, S hij ia h uang Hebei 050081, China; 4.Hebei A uthentication Techno logy E ngineer ing Resear ch Center, S h ij ia huang H ebei 050081, Ch ina; 5.Hebei Insta llation Engingerring Co., L td, S hij ia huang Hebei 050000, China.) Abstract:T his paper introduced the properties of GaN materials and the problems existing in the process.The history and late development of the GaN microelectronic devices was focused on.And comparatively large utilization potentiality can be seen in the development trend. Keywords:GaN ;GaN material;GaN microelectronic devices 1　 Si GaA s , 、、 。(SiC、GaN ),、、 ,、。GaN 、、 ,, 、 。,。 2　GaN 2.1　GaN GaN , 、 :2010-12-24 :(1984-), , , , . :　 -mail:sixiaokun0706@ 50 2011 28 。GaN 。 ,, 。 2.2　GaN GaN , (1(a)) (1(b))。,GaN , c 5c/8 , 4 , GaAs 。 。 1/4。 Ⅲ, (Polytypism)。 1(a)　GaN 　　　　　　　　　1(b)　GaN