侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法.pdfVIP

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2017-11-27 发布于江苏
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侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法.pdf

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侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法

SooPAT 侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法申请号：201010200860.1 申请日：2010-06-07 申请(专利权)人厦门市三安光电科技有限公司地址 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号发明(设计)人郑建森林素慧何安和林科闯主分类号 H01L33/46(2010.01)I 分类号 H01L33/46(2010.01)I 公开(公告)号101872824A 公开(公告)日2010-10-27 专利代理机构厦门原创专利事务所 35101 代理人徐东峰注：本页蓝色字体部分可点击查询相关专利 (19)中华人民共和国国家知识产权局 *CN101872824A* *CN101872824A* (12)发明专利申请 CN 101872824 A (10)申请公布号 CN 101872824 A (43)申请公布日 2010.10.27 (21)申请号 201010200860.1 (22)申请日 2010.06.07 (71)申请人厦门市三安光电科技有限公司地址 361009 福建省厦门市思明区吕岭路 1721-1725 号 (72)发明人郑建森林素慧何安和林科闯 (74)专利代理机构厦门原创专利事务所 35101 代理人徐东峰 (51) Int.C l. H01L 33/46 (2010.01) H01L 33/40 (2010.01) 权利要求书 2 页说明书 3 页附图 4 页 (54) 发明名称侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法 (57) 摘要本发明公开了一种侧面兼具分布布拉格反射层和金属反射层的双反射层氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法，缓冲层、N-GaN 层、多量子阱层和P-GaN 层依次层叠形成于蓝宝石基板上，透明导电层形成于P-GaN 层上，分布布拉格反射层覆盖于外延层和透明导电层的侧面，金属反射层形成于分布布拉格反射层上，P 电极欧姆接触金属层形成于合金金属反射层上，由N 电极欧姆接触金属层形成于暴露的N-GaN 层上，P 电极欧姆接触金属层和N 电极欧姆接触金属层通过合金金属导电层及金丝球焊点与散热基板粘合；LED 芯片的倾斜侧面设置分布布拉格反射层与金属反射层相结合的双重反射结构，充分发挥反射层的优异反射性，提高发光二极管的出光效率。 A A 4 4 2 2 8 8 2 2 7 7 8 8 1 1 0 0 1 1 N N C C CN 101872824 A 权利要求书 CN 101872825 A 1/2 页 1. 侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管，包括：一蓝宝石基板；缓冲层、N-GaN 层、多量子阱层