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* 传感器与检测技术 物理现象观察 霍尔效应 第6章 霍尔传感器 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应, 但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。随着半导体技术的发展, 开始用半导体材料制成霍尔元件, 由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。  霍尔元件是一种四端元件 fL fE v EH d I b B 定向运动的电子除受到洛仑兹力外，还受到霍尔电场的作用，当fl=fE时，达到平衡，此时 霍尔系数，材料确定后为常数 灵敏度系数 对于导体，霍尔系数一般较小，故霍耳元件一般用半导体制作，且愈小（薄），灵敏度愈高 霍尔元件基本结构 由霍尔片、引线和壳体组成, 如图所示。 霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片，引出四个引线。1、1′两根引线加激励电压或电流，称为激励电极；2、2′引线为霍尔输出引线，称为霍尔电极。 霍尔元件壳体由非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装而成。 在电路中霍尔元件可用两种符号表示。 基本电路 RW调节控制电流的大小。 RL为负载电阻，可以是放大器的内阻或指示器内阻。 霍尔效应建立的时间极短（10-12～10-14S），I即可以是直流，也可以是交流。 若被测物理量是I、B或者IB乘积的函数，通过测量