电路与模拟电子技术原理胡世昌电子课件第7章节2场效应管放大.ppt

电路与模拟电子技术原理 第七章 基本放大电路 第7章 基本放大电路 7.1 放大电路概述 7.2 晶体管放大电路 7.3 场效应管放大电路 7.4 功率放大电路 7.5 多级放大电路 7.3 场效应管放大电路 任何元件，只要能够实现变量之间的控制特性，就可以用来构成放大器。 利用晶体管工作在放大区时，集电极电流iC受基极电流iB控制（iC＝βiB）这一特征，可以构成晶体管放大电路。 利用场效应管工作在恒流区时，漏极电流iD受栅源电压uGS控制的特性，也可以构成场效应管放大电路。 7.3 场效应管放大电路 7.3.1 场效应管放大电路的工作原理 7.3.2 场效应管放大电路的组成 7.3.3 场效应管放大电路的近似估算 7.3.1 场效应管放大电路的工作原理 理解场效应管放大电路的工作原理，首先要深入理解场效应管本身。 1．深入理解场效应管 场效应管的栅极、漏极和源极 源极的意思是“载流子之源” 漏极的意思是“载流子之漏” 栅极这个名词来自电子管，其作用是控制漏极和源极之间的电流。 由于栅极电流为零，场效应管的漏极电流与源极电流相等。 场效应管的电压偏置及电流方向 场效应管电压偏置及电流方向（续） N沟道管的漏极电位高于源极电位，电流从漏极流向源极； P沟道管的漏极电位低于源极电位，电流从源极流向漏极。 漏源电压uDS的存在是形成漏极电流iD的原因和必要条件。 场效应管电压偏置及电流方向（续） 以N沟道管为例，因为自由电子从源极流向漏极（电流方向从漏极指向源极），所以要求uDS＞0（漏极电位必须高于源极电位）， uDS增大将导致iD增大，但是uDS和iD之间的这种正相关性，却受到栅极电压（用uGS表示）作用的强烈影响。 uDS对载流子运动（iD）的影响 （1）uDS是用来形成iD的，所以iD理应受uDS的影响，二者存在正相关性； 但是uDS和iD之间的数值关系受到沟道变化的重大影响。 uGS对沟道的影响 （2）uGS是用来改变沟道的， 如果uGS引起沟道夹断，则iD＝0； 在沟道畅通的情况下，uGS还会改变沟道的宽窄，进而改变漏极和源极之间的导电特性，从而改变uDS和iD的比例系数，这相当于漏极和源极之间的存在着一个受uGS控制的可变电阻。 uGS与uDS 共同改变沟道 （3）uGS对沟道的改变又受到uDS的影响。 预夹断时，电流iD在uDS变化时基本保持稳定。 （请详细阅读教材） 场效应的外部偏置条件 N沟道场效应管工作在恒流区的外部偏置条件是uDS过高导致uGD过低，低到不足以维持沟道畅通的程度。 此时沟道发生预夹断，iD基本上不随uDS变化而取决于uGS的值，并以转移特性来表示。 当uDS较小时，场效应管不会发生预夹断，也就不会进入恒流区，而是工作在可变电阻区，此时的iD既取决于uDS，又取决于uGS。 7.3.1 场效应管放大电路的工作原理 场效应管的栅极、漏极和源极分别对应晶体管的基极、集电极和发射极， 场效应管放大电路也可以组成共栅、共漏、共源放大电路。 要让场效应管放大电路实现对输入信号的放大，也必须确保场效应管能够不失真地工作在恒流区（饱和区）， 而要实现这一点，就必须给场效应管提供合适的偏置（自偏压和分压式偏压 ） 2．场效应管工作状态的确定 场效应管的工作状态，既可以从电压角度来判断，也可以从电流角度来判断。 从电压角度看，场效应管的外加电压必须能够确保“沟道预夹断”——uGS能确保沟道存在，uDS能确保沟道预夹断。 从电流角度看，场效应管的控制特性以平方关系出现。 N沟道耗尽型FET工作状态 截止区： 栅源电压过低，导致沟道夹断 UGS＜UP iD＝0 N沟道耗尽型FET工作状态（续） 恒流区： 栅源电压够高，保证沟道存在； 漏源电压过高，沟道预夹断 UP＜UGS＜0，UDS＞UGS-UP N沟道耗尽型FET工作状态（续） 可变电阻区： 栅源电压够高，保证沟道存在； 漏源电压够低，沟道未发生预夹断 UP＜UGS＜0，0≤UDS≤UGS-UP 7.3.2 场效应管放大电路的组成 共栅、共漏、共源 要让场效应管放大电路实现对输入信号的放大，也必须确保场效应管能够不失真地工作在恒流区（饱和区），而要实现这一点，就必须给场效应管提供合适的偏置， 1．自偏压电路 由于iG＝0，以及电容C1的隔直作用，栅极电阻RG上不可能有直流电流流过，所以栅极直流电压UG＝0。 自偏压电路（续） 又因为场效应管的iD＝iS，于是源极直流电压US就等于源极电阻Rs上的直流电压： US＝RsID 于是栅源电压 UGS＝UG－US＝－IDRs ID为零时，UGS＝0，耗尽型FET的导电沟道就已经存在。 自偏压电路（续） 自偏压电路要求