ICCAD 盛大开幕 华虹宏力芯动亮相.PDFVIP

ICCAD 盛大開幕 華虹宏力“芯”動亮相 (中國，上海—2017 年 11 月17 日)2017 年 11 月16-17 日，“中國集成電路設計業2017 年會暨北京集 成電路産業創新發展高峰論壇”（“2017年ICCAD年會”）在北京稻香湖景酒店舉辦。全球領先的200mm 純晶圓代工廠─華虹半導體有限公司(股份代號：1347.HK)之全資子公司上海華虹宏力半導體製造有限 公司 （“華虹宏力”）精彩亮相。在這場多方矚目的行業盛會上，華虹宏力積極響應 “創新驅動，引 領發展”的大會主題，向客戶及合作夥伴展示了其差異化的特色工藝及最新技術解决方案。 11 月的北京，氣溫已然低迷。原本清冽的稻香湖畔，却因 “2017年 ICCAD 年會”的召開而頗顯熾熱。 本届大會深入探討了集成電路産業面臨的機遇和挑戰。其下，我國集成電路産業正蓬勃發展，華虹宏 力作爲半導體製造企業的代表，將持續發展特色工藝，助力中國 “芯”騰飛。 1 / 7 2 / 7 華虹宏力以特色引領創新，在嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬及混合信號、電源管理 IC 、射 頻和微機電系統（MEMS ）等晶圓代工領域享有領先地位。全系列的嵌入式存儲器工藝平台組合中，專 爲物聯網打造的0.11 微米超低漏電（ULL ）嵌入式閃存平臺，N/P 管靜態漏電1pA/μm ，幷支持RF-CMOS 設計；95 納米單絕緣栅非易失性嵌入式存儲器，包括 eFlash 、eEEPROM 、OTP 工藝平臺，助力客戶在 MCU 應用市場提高競爭力，95 納米的低本高效MTP （Multiple-Time Programming）工藝平臺也在加速 研發中；90 納米eFlash/eEEPROM 工藝平台則將加固公司在智能卡領域的優勢。聚焦功率器件市場，華 虹宏力的深溝槽超級結（Deep Trench Super Junction ，DT-SJ）及場截止型IGBT（Field Stop ，FS IGBT） 工藝平台在業界廣受認可，其中，第三代DT-SJ 實現了超低導通電阻，超高開關速度的特性；1700V IGBT 技術已開發完成，適用在高端工業及新能源汽車的IGBT 技術也指日可待。華虹宏力還可提供全套的電 源管理芯片代工方案，擁有全系列的BCD/CDMOS 和CMOS 模擬工藝平台，涵蓋1微米到0.13 微米，1.8V 到700V。正處於戰略準備階段的第二代BCD700V 工藝平台，將在原先基礎上减少2 層光罩，幷優化DMOS 性能。針對射頻技術，華虹宏力提供矽襯底全系列工藝解决方案，包括RF SOI 、與邏輯工藝兼容的RF CMOS 、SiGe BiCMOS 以及 IPD 等。0.2 微米射頻SOI 工藝設計套件（PDK）頗受好評，能有效幫助客戶 提高設計效率。研發團隊還在持續研發0.13 微米射頻SOI 等射頻相關技術，以響應智能手機出貨量的 增長及未來5G 移動通信的發展。 大會期間，華虹宏力戰略、市場與發展部門部長胡湘俊以 “智能時代，暢想芯機遇”爲題發表演講： 5G 、人工智能等新興領域已開始發酵，面對“芯”時代，華虹宏力如何走好特色創新之路？演講現場， 高潮迭起，精彩不斷。 3 / 7 4 / 7 5 / 7 華虹宏力執行副總裁孔蔚然博士在展會現場接受了《半導體製造》專訪。 此次，華虹宏力展台還特別設置了互動遊戲，吸引了大量圍觀。除了有趣的大轉盤遊戲讓參與者叫好 外，“拍照集贊”的創意游戲也刷爆朋友圈，收穫滿滿人氣。