自动检测技术第3版马西秦第9章节霍耳传感器.pptVIP

尚辅网 / 第九章 霍耳传感器 利用半导体材料的霍耳效应而工作，为霍耳传感器。 第一节 霍耳传感器原理 半导体，置于磁场B，通入电流I，电子受洛伦兹力FL，产生霍耳电场EH，输出霍耳电压UH。被称为霍耳效应。 N半导体 B I v F + + + + + + UH 输 出 U 结论：霍耳电压（1）与材料有关 （2）与电流I有关（3）与磁场B有关。 一、霍耳效应 洛伦兹力： 电场强度： 得： 霍耳电压： （电位正电荷受力乘距离） （n----材料中电子浓度） 由于 （电位正电荷受力） 于是： （ *霍耳灵敏度： ） 1.霍耳电压与霍耳灵敏度 2.霍耳系数与电阻率 霍耳系数： 将前面霍耳电压 式中的 1/nq 定义为霍耳系数RH，即： 有； 。 *霍耳系数RH和霍耳灵敏度KH的关系： （μ----材料中载流子迁移率， U---外电压，U/l---电场强度） 电阻率：由 得： 对比 对比 冷轧硅钢片 圆环 被测 电流 引 脚 霍耳 元件 B随被测电流变化 被测电流 固定 电流 B UH 固定电流I） 输出：（ 实例之一 钳型电流表： I 二、霍耳元件的温度特性及补偿 电阻相对变化 温度低------------温度高 升温减小 负温度系数 升温增大 正温度系数 温度低------------温度高 霍耳电压相对变化 砷化铟 硅 锗 碲化铟 锗 1.温度特性 2.温度补偿 (1)利用输入回路串电阻进行补偿 UH B - + - 等效电路 在t度下霍耳系数： 在t度下输入电阻： 由 得 温度引起的霍耳电压增量: 显然,当 时,温度变化不引起的霍耳电压输出。 结论： 输入补偿电阻数值： （补偿前提： ） (2)利用输出回路的负载进行补偿 UH B - + - 等效电路 恒流源 恒流源 在t度下霍耳电压： 在t度下输出电阻： 对上式求导，令 ，即输出电压对温度t的变化率为零，得： 结论：用负载进行温度补偿 所需负载电阻为： 三、霍耳元件的零位特性及补偿 零位特性：霍耳元件在无外加磁场或无控制电流的情况下输出霍耳电压的特性被称为零位特性。 1.不等位电压 霍耳元件在无外加磁场B、有控制电流I的情况下出现霍耳电压U0，被称为不等位电压。 此时定义不等位电阻 产生原因：焊接、材料不均匀、接触不良等。 解决方法：电桥平衡。 2.寄生直流电压 在无外加磁场B、有交流控制电流i的情况下本应只出现交流输出，但却出现非不等位电压的直流电压分量。 产生原因：焊接差引起整流效应；焊点热容不等。 解决方法：改善接触性能和元件散热条件。 4.自激场零电压 在无外加磁场B、有控制电流I的情况下，因控制电流I的磁场（自激场）引起的输出霍耳电压。 产生原因：电磁感应 解决方法：改变输入输出引线布置消除电磁干扰。 3.感应电动势 在无控制电流I、仅有外加磁场B变化的情况下，在输出回路中引起的输出电动势。 产生原因：霍耳效应 解决方法：改变输入输出引线布置消除电磁干扰。 第二节 集成霍耳传感器 利用集成电路制造工艺，将霍耳元件和测量电路集成在一起的传感器为集成霍耳传感器。 优点：可靠性高，体积小、重量轻、功耗低、反应快。 一、开关型集成霍耳传感器 I 1.B=0 U2=1 U3=1 无UH 设计使IC1IC2 V1 V2导通 V3通V4截止 V5V6截止 V7V8截止