高等电力电子技术张兴第九章节.pptVIP

4. 门极损耗 门极损耗指器件开关过程中消耗在晶闸管门极、晶体管基极、或IGBT栅极等上的功率。一般情况下，这部分的功率损耗与器件的其他部分损耗相比可以忽略不计，但对于GTO、GTR等通态电流比较大的功率器件则需要特殊考虑。这是因为：GTO关断大电流所需的控制极关断电流较大；而GTR正向电流增益较小，当集电极电流较大时，基极电流 也较大，且基极-发射极饱和压降 往往远大于集电极-发射极饱和压降 ，因此，当GTR和GTO在通态电流较大时门极损耗较大，门极损耗 可按下式计算。即： 9.2.1 开关器件的功率损耗 在VVVF变频器中，由于采用PWM控制以输出正弦波电流，因而流经其主电路功率器件（如IGBT等）的电流及占空比不断变化，从而给VVVF变频器中功率器件耗散功率的估算增加了难度。下面以VVVF变脾气三相逆变桥为例，讨论其中功率器件的耗散功率估算问题。 9.2.2 VVVF变频器中功率器件损耗 功率的分析 （VVVF）变频器主电路和输出电流波形 1. 功率开关的通态和开关功耗 在VVVF变频器主电路中，每一个功率开关的通态功耗 为 式中， 为正弦波输出电流的峰值： 为 且集电极电流等于 时的开关管饱和压降（当采用IGBT时）；D为PWM波形占空比（调制深度）； 为输出电压与电流直接的相位角（功率因数= ）。 而每一个功率开关的开关损耗 可计算得 式中， 为变频器每桥臂的PWM开关频率； 为 且集电极电流为 时的每个脉冲对应的开通能量（当采用IGT时）； 为 且集电极电流为 时的每个脉冲对应的关断能量（当采用IGT时）。 9.2.2 VVVF变频器中功率器件损耗 功率的分析 2. 续流二极管损耗 在VVVF变频器主电路中，逆变桥中每一个续流二极管的通态损耗 可计算得 而每一个续流二极管的反向恢复损耗 可计算得 式中， 为 情况下，续流二极管的正向电压降； 为续流二极管反 向恢复峰值电路； 为续流二极管反向恢复时间； 为续流二极管最大反 向恢复电压。 9.2.2 VVVF变频器中功率器件损耗 功率的分析 3. 每一个桥臂的耗散功率 在VVVF变频器主电路中，逆变桥中的每一个桥臂的耗散功率为上述 各类损耗之和，即 由此，可以方便地计算出VVVF变频器逆变桥的功率器件的耗散功 率。 9.2.2 VVVF变频器中功率器件损耗 功率的分析 9.2.3 结温 以图9-10 (a) 所示的散热系统为例，忽略管壳与环境之间的热阻后，其等效热网络如图9-10(b)所示。 a）常见散热系统结构 b）等效热路 图9-10 散热系统结构与等效热路 下面给出不同形式功耗下的结温计算方法 一.稳态功耗下的结温计算 对于稳定的器件功耗 , 结温 为： 式中， 为壳温，由散热器热阻 、接触热阻 与环境温度 共同决定。 9.2.3 结温 对于幅值为 的矩形脉冲功耗，结温 是时间的函数，随时间变化，变化情况与脉冲的幅值、频率、占空比等参数有关，但结温的最大值必定出现在功率脉冲的下降沿。 1.对于单脉冲 结温 自初始温度 按指数规律上升，在功率脉冲下降沿 时刻达到最大值 ，然后再按指数规律下降，经足够长的时间后恢复至初始温度 。 9.2.3 结温 上升阶段 下降阶段 式中， 是整个散热系统的热时间常数，其大小与散热系统的热惯性有关，系统热惯性越大，时间常数 越大。若功率脉冲出现时刻的原始功耗为零，则 即为环境温度 。 二.矩形脉冲功耗下的结温计算 2.对于连续脉冲可分为两种情况： （2） 当时间间隔不足，结温恢复到起始温度 以前下一个脉冲即到来时，其结温变化情况如图所示: 在开始阶段，器件产生的热量大于散失的热量，后加脉冲所产生的结温升的起点温度