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模拟电子技术练习题 1、对于杂质半导体而言，说法错误的是 （） A、多子数量一定多于少子数量 B、多子浓度基本上取决于掺杂浓度 C、若杂质的浓度升高，则少子的浓度将保持不变 D、在单晶硅中掺入五价元素可形成N 型半导体 2、在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于 （） A、晶体缺陷 B、掺杂工艺 C、温度 D、杂质浓度 3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将 （） A、变窄 B、变宽 C、基本不变 D、无法确定 4、当环境温度升高时，PN 结的反向电流将 （） A、减小 B、基本不变 C、变大 D、无法确定 5、稳压二极管的正常稳压区处于伏安特性曲线中的 （） A、正常特性的工作区 B、反向击穿区 C、所有区域 D、无法确定 6、对于工作于放大状态的晶体管而言，当环境温度升高时，若保持基极 电流不变，则发射结电压将 （） A、减小 B、基本不变 C、变大 D、无法确定 7、晶体管工作于放大状态的外部条件是 （） A、发