传感器原理及应用姜香菊电子课件第六章节磁电式传感器.pptVIP

第6章 磁电式传感器 三、 磁敏电阻 （一）磁敏电阻的工作原理 磁敏电阻的工作原理是基于磁阻效应，将一载流导体置于外磁场中，除了产生霍尔效应外，其电阻也会随磁场而变化。这种现象称为磁电阻效应，简称磁阻效应。磁阻效应是伴随霍尔效应同时发生的一种物理效应。当温度恒定时，在弱磁场范围内，磁阻与磁感应强度B的平方成正比。 磁敏电阻有两端型和三端型两种，如图所示，其结构简单，安装方便，但它的缺点是电特性比霍尔元件的复杂，且输出是非线性的。 (2)温度特性 (4)基本误差及其补偿 霍尔元件在实际应用时，存在多种因素影响其测量精度，造成测量误差的主要因素有两类：半导体固有特性及半导体制造工艺的缺陷。其主要表现为温度误差和零位误差。 ①温度误差及其补偿 霍尔元件是采用半导体材料制成的, 因此它们的许多参数都具有较大的温度系数。当温度变化时, 霍尔元件的载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数都将发生变化, 从而使霍尔元件产生温度误差。  为了减小霍尔元件的温度误差, 除选用温度系数小的元件或采用适当的补偿电路 a.采用恒流源供电和输入回路并联电阻 当温度由T0升为T(℃)时，上述参数均改变为：Ri→Rit，R0→R，I0→I0t ， Ic0→Ic，KH0→KH。则有如下关系： 因为 当温度改变ΔT时，为使霍尔电势不变则必须有如下关系： 因此 对一个确定的霍尔元件，其参数Ri，α，δ是确定值，可由上式求得分流电阻R0及要求的温度系数β。为满足R0及β两个条件，此分流电阻可取温度系数不同的两种电阻实行串、并联组合。 b. 选取合适的负载电阻 为使负载上的电压不随温度而变化，应使 得 c．采用恒压源和输入回路串联电阻 d．采用温度补偿元件(如热敏电阻、电阻丝等) (a)电压源与热敏电阻并联； (b)电压源与热敏电阻串联； (c)电压源与热敏电阻串并联；(d)电流源与热敏电阻并联 (2)零位误差及其补偿 除了工艺上采取措施降低U0外，还需采用补偿电路加以补偿。霍尔元件可等效为一个四臂电桥，如图所示，当两霍尔电极在同一等位面上时，R1=R2=R3=R4，则电桥平衡，U0=0；当两电极不在同一等位面上时（如R3R4）则电桥不平衡，U0≠0。可以采用图所示方法进行补偿，外接电阻R值应大于霍尔元件的内阻，调整R，可使U0=0。改变工作电流方向，取其霍尔电势平均值，或采用交流供电亦可以。 （三）霍尔传感器转换电路 在实际使用中，为了获得较大的霍尔输出电压，可以采用几片霍尔传感器叠加的联结方式，如图所示。 （四）霍尔式传感器的应用 1. 霍尔式位移传感器 ①霍尔元件处于中间位置位移Δx=0时，由于B=0，所以UH=0 ②霍尔元件右移, Δx0，合成磁感应强度B向左,B≠0， UH0 ③霍尔元件左移，Δx0，合成磁感应强度B向右,B≠0，UH0。 2. 霍尔式转速传感器 霍尔式转速传感器 3.霍尔式汽车点火器 霍尔式汽车点火器 4.霍尔接近开关 霍尔接近开关 5.霍尔微压传感器 霍尔微压传感器 6.霍尔电流传感器 霍尔电流传感器 对于只有电子参与导电的最简单的情况，理论推出磁阻效应的表达式为 设电阻率的变化为Δρ=ρB/ρ0，则电阻率的相对变化为 上式是在忽略磁敏元件的几何形状得到的，如果考虑其形状的影响,电阻率的相对变化与磁感应强度和迁移率的关系可以近似用下式表示： 因此，磁场一定时，迁移率越高，其磁阻效应明显。因此，磁敏电阻常选用InSb、InAs和NiSb等半导体材料；若考虑形状的影响，其长宽比(l/b)越小，则磁阻效应也越明显。 （二）磁敏电阻结构及特性 1.磁敏电阻结构 磁敏电阻外形呈扁平状，非常薄，它是在0.1～0.5mm的绝缘基片上蒸镀上约20～25μm的一层半导体材料制成的，也可在半导体薄片上光刻或腐蚀成型，为了增加有效电阻，将其制成像电阻应变片那样的弯曲栅格。 在实用上，往往在衬底上做两个相互串联的磁敏电阻，或四个磁敏电阻接成电桥形式，以便用于不同的场合， 尚辅网 / 　　磁电式传感器是通过磁电作用将被测量转换成电信号的一种传感器。磁电式传感器有磁电感应式传感器、霍尔式传感器、磁敏电阻、磁敏二极管和磁敏晶体管等。 6.1磁电感应式传感器 6.2霍尔式传感器 6.3磁敏电阻 6.4磁敏二极管和磁敏晶体管 一、 磁电感应式传感器 磁电感应式传感器是一种机—电能量转换型传感器，适用于振动、转速、扭矩等测量。特别是由于这种传感器的“双向”性质，使得它可以作为“逆变器”应用于近年来发展起来的“反馈式”（也称为平衡式）传感器中，只是这种传感器