氧化锆材料的掺杂机理的探讨-期刊.pdfVIP

第二届中国锆铪行业大会文集 氧化锆材料的掺杂机理的探讨 唐辉林振汉王欣张强 000 (上海大学锆材料研究中心，上海2 72) DiscussionoftheMechanismof zirconia doped Hui，Lin Tang Zhenhan，WangXin，ZhangQiang MaterialsResearchCenterof (Zirconium ShanghaiUniversityShanghai200072) 摘要：综述了近年来对氧化锆掺杂稳定机理的研究，认为空位是影响氧化锆相稳定性最重要因素。着 重叙述了不同价态对其稳定性的影响。 关键词：氧化锆，掺杂，缺陷，空位 Abstract：TheseveralMechanismsof zirconiaare vacanciesarethemost doped introduced．Oxygen important effectonthe of differentkindsof arereviewedinthis zirconia．Particularlydopants paper． properties Keywords：zirconia；dope；defect；vacancy 文献标识码：A 中图分类号：TQl34．1，TB383 引言： 氧化锆是一种十分重要的结构和功能材料，它具有非常优异的物理和化学性能。纯氧化锆随温度历经 三个晶系的变化，即单斜、四方和立方。这种变化称为同素异构变化。在转变过程中伴随着体积变化，ZrO， 由单斜向四方转变时，会使体积收缩5％；由‘四方向单斜转变时会使体积膨胀8％。这是一个可逆的相转 变过程。相变引起的体积效应往往会导致纯的氧化锆制品生产的摧毁性破坏。为了克服这个问题，科学家 围绕氧化锆的相变机制和提高稳定性方面进行了大量的研究工作。掺杂来稳定氧化锆是控$1]ZrO，相结构稳 定的关键因素。稳定氧化锆在陶瓷材料、催化材料、氧传感器及高温燃料电池等方面具有广阔的应用前景。 本文就氧化锆的稳定性研究方面进行评述[1】。 1．低价阳离子掺杂稳定机理 复合体，改变晶体内部结构，形成亚稳的四方相和立方相，使由单一的单斜相变成了双晶结构的四方和立 方相。添加阳离子半径与zr4+相近，性质相似，可形成置换性固溶体。如果添加阳离子半径比zr大，形 成填充式固溶体。当在氧化锆晶体中引入一定量的低价阳离子时，它们将取代z一的位置，这时在zr点阵 中产生氧空位从而保持电中性，分布在氧化锆体内锆离子周围的空位降低了局部氧一氧之间的排斥力，使配 位层产生较大的畸变，从而促使材料在室温下保持立方和四方相f2】。 在目前的研究中存在三种不同的固溶机制： 氧空位间隙补偿： 掰2q—竺生呻2坂，每K+302 (1) 掺杂剂间隙补偿： 2鸭q—鱼§一3域+蟛’+6眨 (2) 氧化锆间隙补偿： 珑争2联+2鸩g与4磁卡戤”母8眨 (3) 唐辉：男，1982年生，硕士生，上海大学锆材研究中心，上海 电话}021Email：utzircob@etang．com 149 第二届中国锆铪行业大会文集