PECVD中SIN膜及其在MIM技术的研究应用.pdfVIP

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2017-12-14 发布于安徽
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复口人学T程硕f：论义目录 1绪论…………………………………………………………………………………………………………．．4 1．1引言……………………………………………………………………………4 1．2化学气相沉积介绍及其种类…………………………………………………5 1．2．1化学气相沉积介绍……………………………………………………5 1．2．2化学气相沉积的分类…………………………………………………5 1．3论文的主要内容与章节安排…………………………………………………7 1．3．1论文的主要内容………………………………………………………7 1．3．2论文的章节安排………………………………………………………7 2PECVD工艺原理和淀积设备……………………………………………………8 2．1PECVD工艺原理……………………………………………………………一8 2．2PECVD薄膜淀积设备………………………………………………………10 2．3本论文所用到的设备、原材料和薄膜的表征……………………………-13 2-3．1本论文所用到的设备和原材料……………………………………··13 2．3．2薄膜的表征…………………………………………………………-·14 2．4本章小结……………………………………………………………………-17 3对MIM电容器工艺中介质层进行优化改进的研究…………………………．．18 3．1MIM电容器工艺原理以及工艺现实的挑战………………………………18 3．1．1MIM电容器工艺原理………………………………………………一18 3．1．2 MIM电容器工艺的现实挑战………………………………………··19 3．2从介质层厚度方向进行MIM电容器优化实验…………………………一20 3．3从介质层介电常数方向进行MIM电容器优化实验……………………一22 3．3．1 sION薄膜作为介质层的MIM电容器电学性能分析………………23 3．3．2SIN薄膜作为介质层的MIM电容器电学性能分析………………一24 3．4本章小结……………………………………………………………………’25 4用氮化硅薄膜作介质层的MIM电容器的实际应用…………………………一27 4．1氮化硅介质膜MIM电容器的稳定性研究………………………………一27 4．2氮化硅介质膜MIM电容器的可靠性研究………………………………·-33 4．2．1 RF对MIM电容器产品良率的影响…………………………………34 4．2_2温度对MIM电容器产品良率的影响………………………………36 4．2．3气体流量对MIM电容器产品良率的影响…………………………37 万方数据复口．人学T程坝I．论文 4．2．4压力对MIM电容器产品良率的影响………………………………38 4．3本章小结……………………………………………………………………·39 5结论…………………………………………………………………………………………………………40 参考文献……………………………………………………………………………42 致i射……………………………………………………………………………………………………………．44 万方数据复口人学T程顺I．论文摘要电容、电阻等基本无源器件被广泛应用于集成电路制造技术中，这些器件通常采用标准的集成电路工艺，利用掺杂单晶硅、掺杂多晶硅以及金属膜等制成。在亚微米的半导体器件产业中，在器