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凌安恺 19820101152827 目 录 简 介 由于在高密度光存储、激光显示、激光扫描、塑料光纤通信等领域巨大的应用前景和市场需求，近年来国际上围绕GaN 基半导体激光器研制和商品化的竞争日趋激烈。 目前，GaN 基边发射激光器性能已经达到了实用化水平，而性能更为优良的垂直腔面发射激光器（VCSEL）尚处于紧张的研发阶段。 GaN 基VCSEL 是一种新型的微腔半导体激光器。与传统边发射激光器不同的结构带来了许多优势，使其在信息存储、激光显示、激光打印、照明等领域具有极为广阔的应用前景和巨大的市场价值。 VCSEL原理示意图 2008年，厦门大学张保平教授课题组成功研制室温光泵GaN基VCSEL。 1995 年10 月，美国ATMI 公司利用MOCVD 技术在蓝宝石衬底上外延生长了全氮化物DBR GaN基VCSEL，首次实现了光泵浦条件下激射，激射波长363.5nm，阈值2.0MW/cm2。 其顶部及底部反射镜分别由两组30 周期个AlGaN/GaN DBR 构成，有源区为10μm厚的GaN外延层。 1999年底，美国Brown大学的Song等人利用晶片键合及激光剥离技术，实现了蓝宝石衬底的剥离，首次制作了全介质膜DBR GaN 基VCSEL，并实现了光泵条件下低温（258K）准连续激射。 由于该结构避免了生长氮化物DBR 引起的裂纹以及有源区质量下降，并采用高反射率的SiO2/HfO2 介质膜DBR 作为反射镜，其激射阈值大大降低，仅为10kW/cm2，光谱特性也得到了极大的改善。 2005年，台湾交通大学的Kao 等人利用MOCVD 技术在蓝宝石衬底上外延生长了AlN/GaN DBR 作为底部反射镜，并以Ta2O5/SiO2介质膜DBR 作为顶部反射镜，实现了氮化物-介质膜DBR GaN 基VCSEL 光泵激射，激射波长448nm，阈值能量密度53mJ/cm2。 2008年年初，台湾交通大学的王兴宗教授为首的研究小组成功研制出了世界上首台电泵蓝光GaN 基VCSEL，从此翻开了GaN 基VCSEL新的篇章。 谐振腔为氮化物-介质膜DBR 结构，底部反射镜为29 对AlN/GaN DBR，顶部反射镜为Ta2O5/SiO2 DBR。为了避免微裂纹的产生，在AlN/GaN DBR 生长过程中引入了AlN/GaN 超晶格结构以消除双轴拉伸应力的影响，最终形成了峰值反射99.4%，高反带带宽25nm 的高质量氮化物DBR。 在77K 连续电注入条件下，其阈值电流密度为1.8kA/cm2，激射波长为462.8nm，注入电流为1.7Ith 时线宽为0.15nm。 2008年底，Nichia公司的研究人员在蓝宝石衬底上外延生长了VCSEL 有源区结构，并利用键合及激光剥离技术制作了GaN 基VCSEL 器件，首次实现了室温连续激射。 器件的谐振腔为全介质膜DBR 结构，有源区为两组InGaN/GaN 量子阱。其室温连续激射阈值电流研密度为13.9kA/cm2，激射波长为414.4nm，注入电流为1.1Ith 时线宽为0.03nm，在12mA 电流条件下，其输出功率为0.14mW。该器件在室温连续工作时很容易老化，其性能尚需进一步提高。 2009 年初， Nichia公司又利用抛磨技术将GaN 衬底上生长的外延结构制成了GaN 基VCSEL 器件。 由于材料的缺陷密度降低，器件的性能得到大幅度提高。其室温连续激射阈值与蓝宝石上生长的VCSEL 相比略有升高，而其最高输出功率却达到了0.62mW，器件寿命也得到了大大提高，但工作一段时间后其阈值电流会升高。 VCSEL 因其结构特殊，具有许多边发射激光器难以比拟的优点，但是也有其困难需要克服。在制作过程中，不仅要制作高反射率的腔面反射镜，而且还要满足增益匹配条件。另外，还要解决载流子注入，电流限制以及散热等问题。对于GaN基VCSEL来说，由于材料体系的特殊性，这些问题显得尤为突出。 对于VCSEL 的谐振腔，其品质因子的计算公式为： 这一公式表明，腔品质因子Q 不仅仅由DBR 反射率决定，而且也与谐振腔长有关。然而VCSEL谐振腔长极短，并且有源区很薄，所以其单程增益很小，使得腔面反射镜的质量要求极高，需要达到99%以上。因此，制作高质量的谐振腔对于VCSEL来说至关重要。 在GaN基光电子器件的制作中，目前反射镜有三种类型： 第一种是直接采用金属来作为反射镜，比如利用Ag或Al来形成反射镜，但是金属反射镜在蓝光波长范围的反射率无法达到95%以上，因此要制作VCSEL金属反射镜是无法满足要求的。 第二种是介质膜DBR，如Ta2O5/SiO2，TiO2/SiO2 DBR等，其原理是利用两种折射率不同的材料，形成高、低折射率相间且每层光学厚度为1