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* NLDプラズマエッチング装置の機能および操作方法 大阪府立産業技術総合研究所 生産技術部　特殊加工Ｇ　研究員　　　福田　宏輝 プラズマエッチング装置を用いた微細加工 マスク 基板 エッチング マスクを除去 リソグラフィーで マスクパターンを形成 幅＝0.125μm 周期＝0.25μm 石英基板 　　　　　　エッチング 　　【１】　ウェットエッチング 　　　　　　　　　　???　液体薬品で腐食させる 　　【２】　ドライエッチング　（プラズマエッチング） 　　　　　　　　　　???　イオンをぶつけて加工する エッチング液 材料 H3PO4 H3PO4 HF I2 + KI HF HF + HNO3 + CH3COOH SiN4 Al2O3 Ti Au SiO2 Si ウェットエッチングの例 ラディエーションダメージの恐れがある 微細パターン形成への適応が可能 選択比に制限が多い 精密なパターン制御が可能 レジストの密着性が保たれる ドライエッチング 微細パターン形成への適用が困難 ラディエーションダメージの恐れがない 選択比が無限にとれる場合が多い パターンの形状制御が困難 レジストの密着性が損なわれる ウェットエッチング ウェットエッチングとドライエッチングの比較 幅 広がって余分な部分まで エッチングされる （サイドエッチング） ウェットエッチング 　　　　　　　等方性エッチング 深さ 幅＞＞深さ 幅 深さ 幅＜深さ マスク ドライエッチング（プラズマエッチング） 　　　　　　　　　　異方性エッチング 基板 イオンが基板へほぼ垂直に入射 　　　垂直にほれる マスク イオン 幅 深さ 幅＜深さ プラズマとは??? ＋ － Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ ＋ ＋ ＋ － － Ｎ プラズマ 密度　???　106 ～ 1025個/m3 温度　???　102 ～ 109K 「プラズマエレクトロニクス」，菅井秀郎，オーム社 　　　　　　　原子が電離を起こし、 　　　　正イオンと電子に分かれた荷電粒子を含む気体 　（例） 　　自然　???　恒星，電離層，オゾン，雷， 　　人工　???　核融合炉，アーク溶接，蛍光灯，ロウソクの炎 プラズマの生成 イオン核 電子 振動電場 電源 電源 プラズマ プラズマ プラズマ 平行板に高周波電圧をかける コイルに高周波電流を流す 強い電波を当てる 9 GHz 0.5 / 0.915 / 2.45 GHz 40 / 60 / 100 MHz 13.56 / 27 MHz SHF UHF VHF RF 振動電場の周波数 電源 高周波 電源 高周波 電源 基板へのイオンの引き込み ＋ － Ｎ Ｎ ＋ ＋ － Ｎ プラズマ プラズマ中で基板に高周波をかける 基板に負の電圧がかかる ＋イオンが基板に高速で入射（ほぼ垂直に） 基板との反応 SiO2 マスク F- CF3 CF3 CF2 e- F* CF4 CF2 CF4 e- e- CF3 様々なイオン やラジカル ラジカル ＋イオンが加速 CF4を用いたSiO2のエッチングの例 SiO2　+　2CF2　→　SiF4↑　+　2CO↑ ラジカルが表面に付着し，基板と反応 イオン衝撃のある部分は，反応が活発 異方性エッチングされる 反応性イオンエッチング エッチングには2つの側面がある 　　【1】　物理的な側面 　　　　　???イオンの衝撃で破壊 　　【2】　化学的な側面 　　　　　???ラジカルと反応 ■　反応性イオンエッチング 　　　(Reactive Ion Etching : RIE) 　　　???　基板材料とガスが反応する ■　スパッタ?エッチング 　　　???　イオンの衝撃による破壊のみ 　　　　　　 （例） Arガス エッチング?ガス 材料 CF4+C4F8+CO+Ar SiOF CF4+O2+H2+NH3, C2F6+CO, CH3F+CO2, BC3+Cl2+N2, CF4 TiN CF4+H2+O2 Ta2O5 Cl2, SiCl4+Cl2+N2+NH3, SiCl4+Ar+N2, BCl3+SiCl4+N2+Ar, BCl3+N2+Ar BCl3+Cl2, BCl3+CHF3+Cl2, BCl3+CH2+Cl2, B+Br3+Cl2, BCl3+Cl2+N2, SiO4+Cl2 CF4, C4F8+O2+Ar, C5F8+O2+Ar, C3F6+O2+Ar, C4F8+CO, CHF3+O2, CF4+H2 CF4, CF4+O2, CF4+H2, CHF3+O2, C2F6, CHF3+O2+CO2, CH2F2+CF4 SF6, C4F8, CBrF3, CF4+O2, Cl2, S