RAM和DDR测试方法的原理与测试案例设计.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * RAM test method ----Warrior Zhu 2006.5.29 目录 RAM模块基础知识 RAM测试的标准 Memtest86的思想 Memtest86的算法 测试项目的描述 测试程式的使用及注意点 RAM模块基础知识 在正式讲RAM的测试方法之前，我们先了解一下RAM模块的基础知识，它对我们理解后面的测试原理部分非常有帮助。 当然关于RAM的知识还有很多，限于篇幅和讲课时间，我们只介绍对理解测试原理有用的部分，其余的可以到网上查找学习。 RAM模块基础知识 在RAM的每一个基本存储单位都只能存储0或者1这样的数据，而CPU存取数据的时候是按照字节（也就是8bit）来存储的，那么RAM究竟如何满足CPU的这样的要求呢？ 首先为了能存储1字节(8 bit)的信息,就需要8个1bit RAM基本存储单元堆叠在一起，这也意味着这8颗芯片被赋予了同样的地址。下面的示意图可以帮助你比较形象的了解这一点（下图所示的图例中仅仅画了4个存储单元，大家当成8个来看就可以了） RAM模块基础知识 通常这8颗1bit芯片是通过地址总线和数据总线在PCB（印刷电路板）上连接而成的，对于CPU来说它就是一颗8bit的RAM芯片，而不再是独立的8个1 bit芯片。在上图所示的地址总线位宽是22bit，这样这个地址总线所能控制的存储模块的容量应该是222=4194304bit,也就是4MB的容量；数据总线的位宽是8bit，就是通过刚才提到的8个1bit的基本存储单元的Dout并联在一起实现的－－这样也能够满足CPU的要求了。（对于这种存储颗粒我们称之为4194304 x 8模块或者4Mx8，注意这里的“M”不是“MByte”而是“Mbit”）。 RAM模块基础知识 关于Bank的问题 前面我们讲述的都是8bit的内存，现在这种东西我们基本上都接触不到了，更常用的是32bit、64bit或者128bit。由于前面我们已经讲到了4Mx1bit模块实现bit输入输出的方法，所以我们很容易想到我们把足够多的芯片放在一个模块中就可以了。不过在实际应用中，仅仅这样做还是不行的，这里就需要引入bank的概念，bank是由多个模块组成的。请看右边的示意图： RAM模块基础知识 上面的示意图显示的是由4组8bit模块组成的一个bank，如果构成模块的是4194304 x 1芯片，那么每个模块的架构应该是4194304x8(4MB)，这样4个模块就能组成一个位宽为32bit的bank，容量为16MB。当存储数据的时候，第一模块存储字节1,第二个模块存储字节2，第三个模块存储字节3，第四个模块存储字节4，第五个模块存储字节5……如此循环知道达到内存所能达到的最高容量 到这里，我们应该能知道，当我们的系统使用这种类型的内存时，可以通过两种方式来增加这种类型内存的容量。第一种就是通过增加每一个独立模块的容量来增加bank的容量，另外一个方法就是增加bank的数目。这样如果让这种类型的内存的容量提升到32MB，可以把每个模块的容量从4MB提升到8MB或者增加bank的数目。 RAM测试的标准 对RAM的测试，业界有两大标准。 一、RST（RAM Stress Test），它由Ultra-X公司开发，主要用于RAM制造厂商测试。 二、Memtest86，它是一个开源组织GPL公布的。我们可以去它的网站(/)了解详细信息。 其它的RAM测试程式或多或少的都带有这两者的印记。 RAM测试的标准 我们的RAM测试程式也是基于memtest86的标准开发的，所以下面我们着重介绍memtest86的标准。 Memtest86的思想 关于RAM测试的程式有很多，但大部分程式只是向RAM写入一个pattern再读出来检查而已，而没有考虑RAM的结构以及如何将错误侦测出来。这些程式很难发现RAM的间歇性错误（intermittent errors）。 基于RAM测试的BIOS功能，如果用来发现间歇性错误也是无效的。 Memtest86的思想 RAM由大量的排列整齐的memory cell组成，这些基本的cell对应着数据的bit位。 绝大多数的间歇性错误（intermittent failures）都是由memory cell之间的的交互作用（interaction）引起的，温度高的时候尤其明显。 所以，当向cell写入一个值时，邻近的cell经常被写成相同的值。 Memtest86的思想 一个有效的RAM测试应该试着去测试这个条件。 所以一个理想的RAM测试策略应该试着去下面的事情。 write a cell with a zero write all of