第三章半导体激光器件.pptVIP

3.1.1 半导体概念与分类 PN结的形成 P区 N区 扩散运动 载流子从浓度大向浓度小 的区域扩散,称扩散运动 形成的电流成为扩散电流 内电场 内电场阻碍多子向对方的扩散 即阻碍扩散运动 同时促进少子向对方漂移 即促进了漂移运动 扩散运动=漂移运动时 达到动态平衡 内电场阻止多子扩散 因浓度差 多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 我们一起作个总结 PN结形成 基本概念 扩散运动 多子从浓度大向浓度小的区域扩散， 扩散运动产生扩散电流。 漂移运动 少子向对方漂移， 漂移运动产生漂移电流。 动态平衡 扩散电流=漂移电流，PN结内总电流=0。 PN 结 稳定的空间电荷区， 又称高阻区， 也称耗尽层。 ? V? PN结的接触电位 ? 内电场的建立，形成接触电势差VD，称为接触势垒 ? 接触电位VD决定于材料及掺杂浓度 硅： V?=0.7 锗： V?=0.2 如果两种材料的费米能级不同，就会在两种材料的分界面上发生电荷的扩散而产生接触电势差，这种扩散运动使两种材料的费米能级逐渐趋于一致，建立起新的热平衡态，达到平衡时，形成新的统一的费米能级。 同质结 组成P-N结的P型半导体和N型半导体的基质材料是相同，该P-N结称为同质结。 异质结 组成P-N结的P型半导体和N型半导体的基质材料是不同，该P-N结称为异质