纳米压印技术概述.doc

随着科技的进步和发展，，，，，X射线曝光，，，，，；，，1995年开始进行了开创性的研究，(nanoimprint lithography) 的新技术[1]。 纳米材料在电子、光学、化工、陶瓷、生物和医药等诸多方面的重要应用而引起人们的高度重视. 一 纳米材料的概述：从分子识别、分子自组装、吸附分子与基底的相互关系、分子操作与分子器件的构筑，并通过具体的例证加以阐述，包括在STM 操作下单分子反应有机小分子在半导体表面的自指导生长; 多肽-半导体表面特异性选择结合 .生物分子/无机纳米组装体、光驱动多组分三维结构组装体、DNA 分子机器。 所谓纳米材料指的是具有纳米量级从分 1~100 nm 的晶态或非晶态超微粒构成的分子识别走向分子信息处理和自组织作用的固体物质。 纳米压印技术具有产量高、成本低和工艺简单的优点，是纳米尺寸电子器件的重要制作技术。纳米压印技术主要包括热压印、紫外压印(含步进—闪光压印)和微接触印刷等。本文首先描述了纳米压印技术的基本原理，然后介绍了传统纳米压印技术的新进展，如气压辅助纳米压印技术、激光辅助压印技术、静电辅助纳米压印技术、超声辅助纳米压印技术和滚轴式纳米压印技术等。最后特别强调了纳米压印的产业化问题。我们希望这篇综述能够引起国内工业界和学术界的关注，并致力于在中国发展纳米压印技术。 这是一种全新的图形转移技术。纳米压印技术的定义为：，，5nm 以下的水平[2]。纳米压印技术主要包括热压印(HEL)、紫外压印(UV - NIL)、微接触印刷(μCP)。纳米压印是加工聚合物结构的最常用方法，，，纳米压印的具体工艺由于材料、目标图形和产品用途的不同而不同，但其基本原理和工作程序是相同的。最基本的程序包含两个主要步骤：图形复制(imprint)和图形转移(pattern transfer)，如图(1)所示。在一块基片(通常是硅片)上“涂”(spin：旋覆)上一层聚合物(如PMMA，聚甲基丙烯酸甲脂)，再用已刻有目标纳米图形的硬“印章”(如二氧化硅“图章”)在一定的温度(必须高于聚合物的“软化”温度(glass - transition temperature)，和压力下去“压印”(imprint)PMMA涂层，从而实现图形的“复制”。下一步是脱模。将“印章”从压印的聚合物中释放。然后把这个聚合物图案转移到衬底材料或其它材料上去。图(2)显示了硅印章，压印的聚合物图形结构和通过溶脱技术得到的金属图形结构。 图（1）纳米压印工艺流程 纳米压印的原理虽然很简单，，，(resist) 都可以用来作为压印层。例如PMMA就是一种最常用的电子束曝光抗蚀剂。然后要选择它的软化温度(glass-transition temperature)、分子量和涂层厚度。当温度在聚合物的软化温度之上时，；；，，PMMA的分子量从50k到980k而膜的厚度在50nm～400nm之间(与浓度有关)[4]。另外，PMMA材料，50bar和100℃～200℃，：(spin)一层50k的PMMA(厚度为100nm～200nm)， PMMA的软化温度(175℃)后，50bar的压力压在PMMA上并保持一段时间，40℃时释放模具。然后用对PMMA进行氧气反应离子刻蚀(Reactive ion etching) ，PMMA，(Ti)在整个膜面上；(lift - off) ，PMMA以及附着其上的钛，(60nm厚)[4]。 纳米压印技术的新进展 在纳米压印技术的发展历程中，，， 金属薄膜直接压印技术是在Si基板上利用离子束溅射技术产生一层Cu、Al和Au等金属薄膜，，MPa。有文章称利用50000N的高压可以在220nm厚的金属薄膜上压出73nm～169nm的压痕[5]。如此高压有可能会将基板压坏，，(NEB - 22或SUB - 8)[6]，1%，2MPa～40MPa。同时使用尖锐的掩模板，，2所示。 激光辅助压印技术[7]就是用高能准分子激光透过掩模版直接熔融基板，，，，，，SiO2。据报道利用激光融化Si基板进行压印工艺可以实现低于10nm的特征线宽，3所示。因为是直接将图案转移到基板之上，，，， 图（2）改进的金属薄膜直接压印 Fig2 The modified metal-film direct imprint technology 图（3）激光辅助压印技术 Fig3 Laser-assisted nanoimprint technology 滚轴式纳米压印技术[8]有连续压印、产量高、成本低和系统组成简单等特点。有两种实现工艺：，4(a)所示。还可以是在弹性掩模版上利用滚轴滚动施压，；，，，Si样的硬基板。其弹性基板的工艺流程如图4(b)所示。 电磁辅助纳米压印[9