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半导体器件失效研究和检测 　　摘 要：半导体元件的失效将直接影响相关产品的正常使用，文章主要就对半导体器件的失效原因进行了细致地分析并提出了几种检测的方法，供相关人士借鉴。 关键词：半导体；器件；失效分析；检测 1 半导体器件失效分析 通过分析可知造成半导体器件失效的因素有很多，我们主要从几个方面进阐述。 1.1 金属化与器件失效 环境应力对半导体器件或集成电路可靠性的影响很大。金属化及其键合处就是一个不容忽视的失效源。迄今，大多数半导体器件平面工艺都采用二氧化硅作为掩膜钝化层。为在芯片上实现互连，往往在开窗口的二氧化硅层上淀积铝膜即金属化。 从物理、化学角度分析，金属化失效机理大体包括膜层张力、内聚力、机械疲劳、退火效应、杂质效应及电迁移等。 1.2 晶体缺陷与器件失效 晶体缺陷导致器件失效的机理十分复杂，有些问题至今尚不清楚。晶体缺陷分晶体材料固有缺陷（如微缺陷）和二次缺陷两类。后者是在器件制造过程中，由于氧化、扩散等热处理后出现或增殖的大量缺陷。两种缺陷或者彼此相互作用，都将导致器件性能的退化。二次击穿就是晶体缺陷招来的严重后果。 1.2.1 位错 这种缺陷有的是在晶体生长过程中形成的（原生位错），有的是在器件工艺中引入的（诱生位错）。位错易沿位错线加速扩散和析出，间接地促成器件劣化。事实证明，外表杂质原子（包括施主和受主）沿位错边缘的扩散比在完美晶体内快很多，其结果往往使P-N结的结平面不平整甚至穿通。鉴于位错具有“吸除效应”，对点缺陷如杂质原子、点阵空位、间隙原子等起到内部吸收的作用，故适量的位错反而对器件生产有利。 1.2.2 沉淀物 除位错造成不均匀掺杂外，外界杂质沾污也会带来严重后果，特别是重金属沾污，在半导体工艺中是经常发生的。如果这些金属杂质存在于固溶体内，其危害相对小一些；但是，一旦在P-N结处形成沉积物，则会产生严重失效，使反向漏电增大，甚至达到破坏的程度。沉积需要成核中心，而位错恰恰提供了这种中心。硅中的二次孪生晶界为沉积提供了有利的成核场所，所以具有这种晶界的二极管，其特性明显变软。 1.2.3 二次缺陷。它是在器件工艺过程中引入的，直接威胁着产品的成品率。常见的二次缺陷有失配位错、滑移位错及氧化层错。失配位错往往会导致浅结NPN管基区前沿下沉，最终影响器件截止频率和噪声系数。滑移位错除引起结特性变软外，还会导致穿通。 2 半导体器件失效检测法 当前造成半导体器件出现失效的因素有很多，而具体的检测方法则可以分为两大类，一种是破坏性检测，具体指的是打开器件的封帽之后进行检测；另一种是非破坏性检测，顾名思义，就是在不对器件造成物理性破坏的前提下进行检测。不过，这种非破坏性检测也会或多或少的对元器件造成一定的伤害，在性能上也会发生一些改变。所以进行失效检测必须做好相关事宜，按照一定的计划和步骤进行。作为操作人员在实际工作时也应该谨小慎微，否则旧的失效迹象没有解决还会混进一些新的失效因素。 2.1 破坏性检验法 2.1.1 光学检测 通常来看，由于半导体元器件本身发生短路所造成的失效，其表面现象是很难被肉眼发现的。我们可以通过一百倍的显微镜去观察其元器件上的划痕。但是有些缺陷就算使用高倍显微镜也是很难看到的，例如绝缘层针孔出现短路。所以针对这些难以检查的缺陷，我们需要把芯片取下来然后把金属化铝层腐蚀，在使用显微镜进行判断。 2.1.2 电子显微镜检验 从可见波长方面来说，电子显微镜显然已经接近于光学显微镜分辨率的极限。目前能够聚焦X射线的显微镜还不能够实现放大两百以上。为了能够查找出半导体元器件上出现的电学不稳定因素，我们通常可以使用透射式电子显微镜来实现。这种检测技术主要是通过制作一种很薄的样片，但是注意的是这种减薄处理很容易造成被检测器件遭到破坏，所以在进行失效检测时候应该只限于观察晶体缺陷。除此之外，我们还可以使用电镜进行骚猫，电镜形成的电子束通过扫描被检测元件后，不论是检测元件表面散落的电子还是已经被表面吸收的电子都会转化成图像，帮助我们更加直观的观察。相比其他的检测方法，使用电镜进行扫描是当前一种比较有效的检测半导体器件失效的工具。但是电镜所形成的电子束能够对被检测元件形成永久性的性能改变，所以这种方式属于破坏性检测。 2.1.3 化学检测 采用这种检测方法不仅能够检测半导体元器件的污染情况还能够具体地分析元器件材料，同时还能够通过染色方法观看其可见度的方式来检查针孔是否出现问题。例如，我们把染色的晶片经过漂洗，已经渗透到裂纹中的染料就会流出来，我们通常把这种裂纹区着色叫做染色法，主要是通过不同的裂纹区域会有不同的棕色，然后通过施加一定的电压，就非常容易看到一些形式的