模拟电子技术 CH6-1 模拟集成电路.pptVIP

第6章 模拟集成电路 6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 三、比例电流源： 补充：其它形式电流源 作业： * 基本要求： 1、掌握各类电流源的组成、工作原理及应用； 2、掌握差分式放大电路的组成、抑制零漂的原理和分析计算； 3、了解集成运算放大器的组成和主要参数。 集成电路：将数十个甚至更多的BJT、FET及电阻等集中制作在一块硅片上，能完成某种功能的电子电路。 与分立元件模拟电路相比，模拟集成电路特点： （1）电路结构和元件参数具有对称性； 元件参数具有同向的偏差，温度对同一类元件影 响相同 （2）用有源器件代替无源器件 集成电路电阻多用BJT的体电阻实现 高阻值电阻多用由BJT或FET组成的有源器件——电流源代替； 外型分双列直插式和金属圆壳式。 分为数字集成电路、模拟集成电路。 数字集成电路基本单元是逻辑门，输入、输出为二值逻辑量 模拟集成电路是对模拟信号的放大、运算、变换、处理 （4）级间采用直接耦合方式（因为电容常用PN结结电容 实现；电容不够大）； RC耦合方式：各级静态点之间无影响 直接耦合方式：各级静态点之间有影响 （3）多采用复合管 ?大、ri大，性能好；且集成电路复合管容易实现 （5）集成电路中的二极管多用作温度补偿和电平移动， 由BJT的发射结构成。 基本单元电路：电流源、差分式放大器。 集成运放是模拟集成电路的一种 由于最早是通过加外部反馈实现模拟信号的算术运算的 ——集成运算放大器 电流源在模拟集成电路中的作用: 向各级放大电路提供偏置电流，或作为放大电路的有源负载 6.1.1 BJT电流源电路 6.1.2 FET电流源 1. 镜像电流源 2. 微电流源 3. 高输出阻抗电流源 4. 组合电流源 1. MOSFET镜像电流源 2. MOSFET多路电流源 3. JFET电流源 6.1.1 BJT电流源电路 T1、T2的参数全同 即β1＝β2，ICEO1＝ICEO2 当BJT的β较大时，基极电流IB可以忽略 Io＝IC2 ＝IC1 ≈IREF＝ 代表符号 当R确定后，IREF就确定了，而Io也随之确定，并且与所接负载无关， IC2可看作IC1的镜象，故称之。 一、镜像电流源 6.1.1 BJT电流源电路 动态输出电阻 一般ro在几百千欧以上 一、镜像电流源 6.1.1 BJT电流源电路 一、镜像电流源 T1对T2有温度补偿作用， ∴ IC2 的温度稳定性好。但 IREF 受+VCC 、-VEE 波动的影响较明显。 T↗→IC2 ↗ IC1 ↗ IC2 ↘ → IR ↗ → VR ↗ → VB↘ → IB2↘ 此电流源的工作电流mA级，若要求μA级，必须R很大，在集成电路中难于实现。 1、电路组成和原理： 在镜象电流源的基础上接一个Re2， 则有 由 得 二、微电流源 由于 很小， IC2的值很小， 达μA级 VBE1 - VBE2 IREF IE2 ?VT ln 往往几十mV Re2一般数 KΩ 为 IE2 的一个超越方程 * T1对T2仍有温度补偿作用， 又T2本身射极电阻 Re2 的存在 IC2 的温度稳定性更好。 2、说明： 此电路改变了镜象电流源中 IC2≈IREF 的关系，使IC2可大于或小于IREF ，IC2 与 IREF 成比例关系。 ∴ 两管参数相同，有 若 则 其中 * IB1+ IB2 IREF IC1 T1 IB1 IE1 Re1 IB2 IE2 Re2 T2 IC2 基于比例电流源的多路电流源 Re3 IC3 T3 Re2 IC2 T2 Re1 IC1 T1 Re T ΣIB T0 R IREF Vcc . . . . . . IC － 若各管的VBE相同，则 当IREF确定后，改变各射极电阻，即可获得不同比例的输出电流。 * 为集成运放的各级放大电路提供偏置电流 Re3 IC3 T3 Re2 IC2 T2 Re1 IC1 T1 Re T ΣIB T0 R IREF Vcc . . . . . . IC 射极偏置电路作电流源 T1：工作管，构成射极跟随器； T2 ：分压式射极偏置电路构成恒流源，为T1管提供静态电流 IE1 使射极跟随器的电压增益更接近1、输入电阻非常大 同时充当T1的射极有源负载 6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 MOSFET基本镜像电路流 T1管的g、d相连 饱和 T1、T2完全相同对管 MOSFET基本镜像电路流 当器件具有不同的宽长比时 6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 用T3代替R，T1~T3特性相同，且工作在放大区， 常用的镜像电流源