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§4.3集成运放电路简介
§4.3 集成运放电路简介 从本质上看,集成运放是一种高性能的直接耦合放大器。 一、双极型集成运放 1、F007(?A741)电路分析 2、F324(LM324)电路分析 二、单极型集成运放 一、双极型集成运放 1、F007(?A741)电路分析 ⑴电路结构 由二大部分组成,一部分是偏置电路,一部分是放大电路。 偏置电路由电流源完成。R5中的电流为偏置电路的基准电流。 T10与T11构成微电流源: IC10=IC9+IB3+IB4 T8与T9构成镜像电流源,为第一级提供静态电流。 T13与T12构成镜像电流源,为第二、三级提供静态电流。 放大部分如下图所示: ①输入级由T1~T9组成,是一个共集-共基组合双端输入、单端输出的差分放大电路。 T1和T2组成的共集差分放大电路与T3和T4组成的共基差分放大电路之间是直接耦合。 T5、 T6和T7组成的加射极输出器的比例电流源是该级的有源负载。 ②中间级是由复合管T16和T17组成、以恒流源做有源负载的共射放大电路。 ③输出级由T14、 T18和T19组成准互补输出电路, T15和R7、R8组成UBE倍增器,设置静态偏置,以消 除交越失真。 D1、D2、R9和R10组成过流保护电路。原理是: uR7+uD1=uBE14+iOR9 正常情况下, uD1Uon, D1截止。过流时, D1导通,为T14基极分流,保护T14。 此外,电容C起相位补偿作用。 电位器Rw用于调零。 ⑵静态分析 我们已经求出了IR=0.73mA,IC10=28?A, IC12=IC13=0.365mA,现在求其它电流。 ① T8和T9组成镜像电流源,基准电流是2IE1 ② ⑶交流性能分析,先看第一级: 根据电流源一节的分析,?IO1=2 ? IC4 再看第二、三级,设R9+RL=2K?,?16=100, ?17= ?14=150,rce17=rce13=274K ? 画出交流等效电路图: 2、F324(LM324)电路分析 F324是四通用运算放大器,其特点是既可以单电源(3—30V)工作,又可以双电源(±1.5--- ±15V)工作,而且静态功耗小。电路如图: 基准电流IR来源于内部专门的基准电流源电路。 多集电极晶体管T11、T12和T13利用集电区面积不同而构成比例电流源,为第一、二级提供静态电流,T19和T20管构成镜像电流源,为末级提供静态电流。除去偏置电路后的电路图如下,由输入级、中间级和输出级组成。 输入级是共集---共射组合双端输入、单端输出的差分放大电路。 中间级是共集---共射组合放大电路。 输出级的工作情况与使用的电源有关。 在单电源供电的情况下,输出级是由T8和T9复合构成的射极输出器,50μA电流源为它提供静态电流。这时,T7管的集电极电位为: uC7=uBE8+ uBE9+ uR2+ uO 二、单极型集成运放 当要求高输入电阻时,应使用场效应管构成的运算放大器。CMOS集成运放的输入电阻可高达1010?以上。C14573是四运放集成电路,原理图如下: 它全部由增强型MOS管组成。T1、T2和T7构成多路电流源,为放大电路提供静态电流。其基准电流IR由外接电阻决定,一般选20---200?A。 由图可知,C14573有二级放大。 第一级是由P沟道管T3和T4构成的双端输入。单端输出的共源差分放大电路。T5和T6组成的电流源做有源负载。 第二级是共源放大电路,放大管是N沟道管T8,其漏极带有有源负载。输出电阻大,带负载能力差。 电容C起相位补偿作用。 §4.4 集成运放的基本知识 一、性能指标二、低频等效电路三、封装形式四、分类 §4.4集成运放的基本知识 一、性能指标 1、最大额定值 2、电气特性 ⑴输入特性 ⑵输出特性 ⑶动态特性 一、性能指标 1、最大额定值 ①电源电压,最大允许的安全电源电压,一般±15V。 ②耗散功率,在规定的温度范围内工作时,安全 耗散的功率。 ③工作温度范围: 商品级:0°C----+70°C 工业级: -25°C----+85°C 军用级: -55°C----+125°C 2、电气特性
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