第8章高压电器局部放电测试方法.doc

高压电器局部放电测试方法 8.1 GIS的局部放电 8.1.1 GIS的局部放电特点 GIS (Gas Insulated Switchgear)是封闭式气体绝缘组合电器的简称。其绝缘系统的特点是在一个金属封闭体内充满SF6气体，用环氧浇注的绝缘子，把载流导体支撑在外壳上。由于GIS内工作场强很高，就可能产生下述几种局部放电。 (1) 载流导体表面缺陷，如有毛刺、尖角、设计不合格、导体表面的电场强度过高等，均会引起的局部放电。由于导体周围全是气体所包围，所以这种局部放电又可称为电晕。 (2) 绝缘体与导体的交界面上存在气隙，这种气隙可能是在产品制造时残留的，也可能是在使用中热胀冷缩形成的。气隙中分配的场强度，而气隙本身的击穿场强又低，于是在气隙中首先产生放电。 (3) 浇注绝缘体中的缺陷，如气泡、裂纹等所产生的局部放电。 (4) SF6中导电微粒的强电场下产生的局部放电。 图8.1为上述几种放电的示意图。对于上述几种放电，用电测法测量时，在示波器50Hz扫描椭圆时基上，可以看不同的放电图形，如图8.2所示。图8.2a是导体表现有缺陷的放电，这种放电都出现在试验电压(工频交流)负半周峰值()附近。放电脉冲幅值和间隔几乎相等；图8.2b是绝缘体内部的局部放电图，放电是出现在电压绝对值上升的相位中，正负半周都有，而且基本相同；图8.2c是导体与绝缘体界面的放电图，它与图8.2b基本相同，只是电压的正负半周放电图形不对称；图8.2d是SF6中导电粒子造成的放电，它与电压的相位无关，是随机地跳跃出现在不同的相位上，而且幅值比较大，放电次数不多。 图8.1 GIS中几种局部放电的示意图 电晕；b) 绝缘体内部放电；c) 导体与绝缘体界面放电；d)SF6中导电粒子放电 图8.2 GIS中几种放电图形 上述各种局部放电，都可能导致整个GIS损坏。在绝缘体中的局部放电会腐蚀绝缘材料，会发展成电树枝，最后导致绝缘击穿，表8.1表示这一破坏过程。 表8.1 绝缘破坏过程 初 期 老 化 局部放电量明显变化，并增大 气泡壁附着放电生成物，材料炭化 中 期 老 化 放电生成物侵蚀、扩大 形成空洞，并向深层发展 末 期 老 化 树枝状破坏性放电通道形成 绝缘最终破坏 在SF6中的局部放电和绝缘体表面的局部放电，都会生成或分解出一些新的生成物，如在填充中有硅元素存在时，可能生存有导电性的SiF4，这就会污染SF6，从而降低其击穿场强，最终造成击穿或闪络。 为了保证GIS的产品质量和安全运行，必须进行局部放电的测量，我国(GB7674-87)《SF6封闭式组合电器》国家标准中规定，要在1.1和1.1（为试品的额定工作电压）进行局部放电的测量，目前尚未能在标准中做出规定，允许局部放电的水平，而是由制造厂可能达到的水平与用户商定。为了控制产品质量，在生产过程中要对绝缘子单独预先进行局部放电的测量，对110kV绝缘子的放电量，国内工厂一般控制在不超过10pC，引进绝缘子的放电量不超过1pC。 8.1.2 电测法测量GIS的局部放电 目前GIS中局部放电的测量，主要是用电测法。在实验室内进行测量时，一般都采用并联直测法的试验线路，如图8.3所示。在现场测量中，如果从高压端来的干扰比较严重，可用平衡法测试回路，这时，对于三相的GIS，可取其中两相同时进行测量，以抑制外来的干扰。 图8.3 GIS局部放电测试的基本线路 C—耦合电容器；Zm—检测阻抗；D—测试仪；L—电抗器 测试方法按GB7354-87《》pC。图8.4是浇注环氧树指内部人工气隙放电产生的脉冲电压波形。随着环氧树脂中增添填充剂和人工气隙尺寸的增大，这种放电脉冲上升和下降都变得比较缓慢，但上升时间还是在ns数量级。GIS中其他形式的放电，如电晕、杂质粒子的放电，高频分量就更多。为了抑制外界的干扰(上百MHz的干扰是很少的)，提高信噪比，取超高频宽度测试系统是比较合适的。 图8.4 浇注环氧树脂中气隙放电产生的脉冲电压波形 （a）无填料气隙直径1.5mm；（b） 有填料气隙直径4mm 图8.5 绝缘子局部放电检测装置 在GIS中，局部放电发生在绝缘子内的机率很大，因此在生产过程中要先测量绝缘子的局部放电。图8.5是测量绝缘子局部放电的线路与装置。试品、耦合电容器、高压试验变压器等高压部件都装在充满SF6的罐子中。试品可同时装进5~10个这样的罐子中，通过测量切换装置，可以分别测量单个试品的局部放电。局部放电侧试仪的频带为40~2000kHz。补偿电抗器是用以补偿容性负载以减小设备的容量。LC滤波器是为了滤掉从电源来的高频分量的干扰。在此装置中，各试品的高压端是连接在一起的，高