半导体中载流子地统计分布.pptVIP

半 导 体 物 理 (Semiconductor Physics);第三章 半导体中载流子的统计分布;什么是载流子？;引 言;二、热平衡时载流子的浓度;§3.1 允许的量子态按能量的分布——状态密度;一、理想晶体k空间中量子态的分布;2. 三维晶体;每一个k点占据的小立方的体积为：;二、半导体导带底和价带顶附近的状态密度;;2. 实际半导体材料的状态密度;令 ，称mn*为导带底电子状态密度有效质量，则;§3.2 热平衡态时电子在量子态上的分布几率——费米能级和载流子的统计分布;1、费米分布函数和费米能级;费米能级的物理意义：化学势 当系统处于热平衡状态，也不对外界做功的情况下，系统中增加一个电子所引起的系统的自由能的变化。 热平衡状态电子系统有统一的费米能级。;费米函数的特性;能量E比EF高5k0T的量子态被电子占据几率0.7%；而能量比EF低5k0T的量子态被占据几率高达99.3%。 如果温度不很高，那么EF ±5k0T的范围就很小，这样费米能级 EF就成为量子态是否被电子占据的分界线： 1) 能量高于费米能级的量子态基本是空的 2) 能量低于费米能级的量子态基本是满的 3) 能量等于费米能级的量子态被电子占据几率1/2 EF的位置比较直观地反映了电子占据电子态的情况。即标志了电子填充能级的水平。EF越高，说明有较多的能量较高的电子态上有电子占据，从物理意义上来讲也就是系统的化学势越高。;费米分布函数中，若E-EFk0T，则分母中的1可以忽略，此时 上式就是电子的玻耳兹曼分布函数。 1-f(E)是能量为E的量子态不被占据的概率，也就是量子态被空穴占据的概率： 同理，当EF-Ek0T时，上式转化为下面的空穴玻耳兹曼分布;半导体中常见的是费米能级EF位于禁带之中，满足 Ec-EFk0T或EF-Evk0T的条件。 因此对导带或价带中所有量子态来说，电子或空穴都可以用玻耳兹曼统计分布描述。 由于分布几率随能量呈指数衰减，因此导带绝大部分电子分布在导带底附近，价带绝大部分空穴分布在价带顶附近，即起作用的载流子都在能带极值附近。 通常将服从玻耳兹曼统计规律的半导体称为非简并半导体；而将服从费米统计分布规律的半导体称简并半导体。;复习与总结;3、半导体中导带电子和价带空穴浓度;引入中间变量：;同理可以得到价带空穴浓度：;将n0和p0相乘，代入k0和h值并引入电子惯性质量m0，得到;平衡态非简并半导体n0p0积与EF无关； 对确定半导体，mn*、mp*和Eg确定，n0p0积只与温度有关，与是否掺杂及杂质多少无关； 一定温度下，材料不同则 mn*、mp*和Eg各不相同，其n0p0积也不相同。 温度一定时，对确定的非简并半导体n0p0积恒定； 热平衡态非简并半导体不论掺杂与否，上式都适用。;未知量：no、p0、EF;§3.3 本征半导体的载流子浓度与本征费米能级; 上式的第二项与温度和材料有关。室温下常用半导体第二项的值比第一项(Ec+Ev)/2(约0.5eV)小得多，因此本征费米能级EF=Ei基本位于禁带中线处。 本征载流子浓度n0=p0=ni：;总结： 任何平衡态非简并半导体载流子浓度积n0p0等于本征载流子浓度ni的平方； 对确定半导体，受式Nc和Nv、指数项exp(-Eg/2k0T)影响，本征载流子浓度ni随温度升高显著上升。;基本上是一条直线，直线斜率= -Eg(0)/2k0;本征载流子浓度ni/cm-3 ;§3.4 杂质半导体的载流子浓度;一、电子占据施主能级的几率 杂质半导体中，施主杂质和受主杂质要么处于未离化的中性态，要么电离成为离化态。费米分布函数中一个能级可容纳自旋方向相反的两个电子，而施主杂质能级上要么被一个任意自旋方向电子占据(中性态)，要么未被电子占据(离化态)，可以证明：;(2) 电离杂质的浓度nD+和pA- ;如果ED-EFk0T(EF-EAk0T)，则未电离杂质的浓度约为0，而电离杂质的浓度与杂质浓度相等，杂质几乎全部电离。 反之，EF-EDk0T(EA-EFk0T)时，则电离杂质的浓度约为0，而未电离杂质的浓度与杂质浓度相等，杂质基本上没有电离。 如果费米能级EF与杂质能级重合时：施主杂质有1/3电离，还有2/3没有电离；受主杂质有1/5电离，还有4/5没有电离。; g(E) f(E) n(E)和p(E);根据上式求EF比较困难。 在不同温度分为，可将上式进一步简化。;1、低温杂质离化区;(1) 低温弱电离区：特征是温度太低，电离杂质占总杂质浓度的比例很小，即 nD+ ND;弱电离区 EF ~ T 的关系：;n0～T