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第2章 逻辑门电路 本章主要内容 半导体器件基础 门电路的相关概念 基本逻辑门电路 TTL与非门电路——工作原理和电压传输特性 其他类型TTL门电路——OC门和三态门 MOS逻辑门——NMOS和CMOS门电路 3 半导体三极管 半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor,简称BJT）。 BJT是由两个PN结组成的。 一.BJT的结构 三极管的结构特点： 1、发射区的掺杂浓度大，面积小，作用是发射载流子； 2、集电区掺杂浓度低，且集电结面积大，作用是收集载流子。 3、基区掺杂浓度最低，且制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米，作用是传输载流子。 4、发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。 5、发射区与集电区的结构不同，不能互换。 输入特性曲线以基极b和发射极e之间的发射结作为输入回路 共发射极接法输入特性曲线 输出特性曲线可以分为三个区域: 以集电极c和发射极e之间的回路作为输出回路 半导体三极管的型号 门电路的相关概念 用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路，称为门电路。与基本逻辑关系相对应。常用的门电路有：与门、或门、与非门、或非门、异或门等。 集成逻辑门电路，是把门电路的所有元器件及连接导线制作在同一块半导体基片上构成的。它是组成一个较大数字系统的基本单元。 门电路的相关概念 集成度 小规模(Small Scale Integrated Circuit ,SSI)是由十几个门电路构成的。 中规模(Medium Scale Integrated Circuit, MSI)是由上百个门电路构成的。 大规模(Large Scale Integrated Circuit ,LSI)是由几百个至几千个门电路构成的。 超大规模(Very Large Scale Integrated Circuit ,VLSI)是由一万个以上门电路构成的。 门电路的相关概念 应用 目前普遍使用的数字集成电路主要有两大类，一类由NPN型三极管组成，简称TTL (Transistor-Transistor Logic)集成电路；另一类由MOSFET构成，简称MOS (Metal-Oxide Semiconductor) 集成电路。 TTL门电路属双极型数字集成电路，其输入级和输出级都是三极管结构，故称TTL。 MOS电路常用两种结构，一是NMOS门电路，二是CMOS门电路。 CMOS门电路是由NMOS管和PMOS管组成的互补MOS (Complementary)集成电路，属单极性数字集成电路。 2.1 基本逻辑门电路 ⒈二极管与门 实现与逻辑功能的电路，称为与门。 2.1 基本逻辑门电路 ⒈二极管与门 2.1 基本逻辑门电路 ⒈二极管与门 2.1 基本逻辑门电路 ⒈二极管与门 2.1 基本逻辑门电路 ⒈二极管与门 2.1 基本逻辑门电路 ⒈二极管与门 2.1 基本逻辑门电路 ⒉或门 实现逻辑或功能的电路，称为或门。 2.1 基本逻辑门电路 ⒉或门 2.1 基本逻辑门电路 ⒉或门 2.1 基本逻辑门电路 ⒉或门 2.1 基本逻辑门电路 ⒉或门 2.1 基本逻辑门电路 ⒉或门 2.1 基本逻辑门电路 ⒊非门(反相器) 实现逻辑非门功能的电路，称作非门 2.1 基本逻辑门电路 ⒊非门(反相器) 2.1 基本逻辑门电路 ⒊非门(反相器) 2.2 TTL与非门电路 ⒈ TTL与非门的工作原理 ⑴ TTL与非门的典型电路 ⑴ TTL与非门的典型电路 输入级由多发射极晶体管T1和电阻R1组成，通过T1的各个发射极实现与逻辑功能。 ⑴ TTL与非门的典型电路 中间级由T2、R2、R3组成。 其主要作用是从T2管的集电极c2和发射极e2同时输出两个相位相反的信号，分别驱动T3和T5管，来保证T4和T5管有一个导通时，另一个就截止。 ⑴ TTL与非门的典型电路 输出级由R4、R5、T3、T4、T5组成，T5是反相器，T3、T4组成复合管作为T5管的有源负载，并与T5组成推拉式电路，使输出无论是高电平或是低电平，输出电阻都很小，提高了带负载能力。 ⑵工作原理 则VB1=VIL+VBE1 =0.3+0.7=1V VB2 =VC1=VCES1+VIL =0.1+0.3=0.4V ⑵工作原理 结论： 电路只要输入有一个为低电平时，输出就为高电平；只有输入全为高电平时，输出才为低电平。该门为与非门。即 1.输入不全为1时，输出为1 2.输入全为1时，输出为0 真值