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大纲解析及重点知识（自编） 【考试大纲解析】 绪论部分 材料科学与工程：1.材料的主要类型及其基本特性。 工程材料主要可以划分为：金属、陶瓷、聚合物、复合材料、半导体。通常所说的三大固体材料是：金属材料（金属中大量的自由电子能在金属两端电势差的作用下定向流动，形成电流，显示金属良好的导电性。温度升高，金属正离子振动振幅增大，电子运动受阻，电阻升高，因此金属具有正的电阻温度系数。金属热量的传递，不仅依靠金属正离子的振动，更由于自由电子的运动，极大地增强了热量传递，所以金属具有良好的导热性。自由电子容易吸收可见光的能量，随后又将吸收的可见光的能量辐射出来，从而使金属不透明具有光泽。金属的两部分作相对位移时，金属正离子仍沉浸在电子云中，保持着金属键结合，因此金属能变形而不断裂，表现出延展性。）、陶瓷材料（也叫无机非金属材料，特性：）、高分子材料（特性：质量轻、比强度高、比模量高、耐腐蚀性能好、绝缘性好。） 第1部分　材料的原子结构与键合 键-能曲线及其应用堆垛层错（stacking fault）是广义的层状结构晶格中常见的一种面缺陷。它是晶体结构层正常的周期性重复堆垛顺序在某二层间出现了错误，从而导致的沿该层间平面（称为层错面）两侧附近原子的错误排布。例如在立方紧密堆积（CCP）结构中，其固有的正常堆垛顺序为三层重复的……ABC ABC ABC……，如果局部出现诸如……ABC A＼C ABC……或者……ABC AB＼A＼C ABC……，则在划线处便是堆垛层错的所在。它们在形式上也可看成是由一个完整的晶格沿层错面、其两侧晶格间发生非重复周期平移所导致的结果。堆垛层错：原子在堆垛过程中，某一层的原子层与另外一层的原子层成发生了错误的堆垛。比如面心ABCABC→ABCACABC 产生单位面积层错所需的能量称为层错能。适当方法（如侵蚀）处理后的金属试样的磨面或其复型或用适当方法制成的薄膜置于光学显微镜或电子显微镜下观察到的组织，，。布拉非点阵（即14种空间点阵），7个晶系。参考（上交P21）。晶面间距——相邻的两个平行晶面之间的距离。通常，低晶面指数的面间距交大，而高指数的面间距则较小。此外，晶面间距越大，则该晶面上原子排列越紧密；晶面间距越小，则排列越稀疏。 2.晶体晶向指数与晶面指数的标定方法，。（参考上交P23—P26） 3.晶体结构及类型，常见晶体结构(bcc、fcc、hcp)及其几何特征、配位数、堆积因子（致密度）、间隙、密排面与密排方向。（上交P35—P41） 金属晶体、共价晶体（金刚石结构，属于面心立方点阵）、离子晶体（型结构，荧石结构，纤锌矿结构） 金属晶体中存在许多间隙，其中位于6个原子所组成的八面体中间的间隙称为八面体间隙，位于4个原子所组成的四面体中间的间隙叫四面体间隙。三种晶体结构中的原子密排面和密排方向，分别是，体心立方{110} 111，面心立方{111} 110，密排六方{0001} 110，这些原子密排面在空间一层一层平行地堆垛起来就分别构成这三种晶体结构。通常以配位数和致密度（堆积因子）两个参数来描述晶体中原子排列的紧密程度。配位数是指晶体结构中任一原子周围最近邻且等距离的原子数。致密度是晶体结构中原子体积占总体积的百分数。 晶体结构类型 原子数 原子半径/晶格常数 致密度 配位数 间隙类型 间隙数目 体心立方（BCC，A2） 2 0.68 8 四面体间隙 12 八面体间隙 6 面心立方（FCC，A1） 4 0.74 12 四面体间隙 8 八面体间隙 4 密排六方(HCP，A3) 6 0.74 12 四面体间隙 12 八面体间隙 6 4.合金相结构，固溶体、中间相的基本概念和性能特点。 所谓合金，是指两种或两种以上的金属或金属与非金属经熔炼，烧结或其他方法组合而成，并具有金属特性的物质。组成合金的基本的、独立的物质称为组元。改变和提高金属材料的性能，合金化是最主要的途径。所谓合金相，是指合金中具有同一聚集状态，同一晶体结构和性质并以界面相互隔开的均匀组成部分。它是由单相合金和多相合金组成。固态下所形成的合金相基本上可分为固溶体和中间相两大类。 固溶体 溶质原子溶于固态溶剂中，并能保持溶剂元素的晶体结构类型所形成的合金相称为固溶体。固溶体的性能特点 ①点阵常数改变 ②产生固溶强化 ③物理和化学性能发生变化 中间相 两组元A和B组成合金时，除了可以形成以A为基或以B为基的固溶体外，还可能形成晶体结构与A，B两组元均不相同的新相，由于它们在二元相图的位置总是位于中间，通常把这些相称为中间相。大多数中间相中，原子间的结合方式属于金属键与其他典型键相混合的一种结合方式，因此，它们都具有金属性。 5.离子晶体和共价晶体机构，离子晶体结构规则、典型的离子晶体结构