【精选】电力电子技术(黄家善高职).pptVIP

书名：电力电子技术（第２版） 作者：黄家善 主编 ISBN： 7-111-15734-6 出版社：机械工业出版社 本书配有电子课件 电力电子技术 高职高专 ppt 课件 第二章 全控型电力电子器件 GTO——门极可关断晶闸管 GTR——电力晶体管 MOSFET——电力场效应晶体管 IGBT——门极绝缘栅双极晶体管 电力电子技术 高职高专 ppt 课件 模块 电力电子技术 高职高专 ppt 课件 IGBT 电力电子技术 高职高专 ppt 课件 1.1 什么是电力电子技术-电力电子器件 电力电子技术 高职高专 ppt 课件 开关器件——IGCT＝驱动电路＋GCT 4kA/4.5kV IGCT 663A/4.5kV IGCT GCT分解部件 1.1 什么是电力电子技术-开关器件 电力电子技术 高职高专 ppt 课件 第一节 门极可关断（GTO）晶闸管 1. 结构 与普通晶闸管的相同点：PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极； 和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。 电力电子技术 高职高专 ppt 课件 2. 导通关断条件 导通：同晶闸管，AK正偏，GK正偏 关断：门极加负脉冲电流 电力电子技术 高职高专 ppt 课件 3.特点 全控型 容量大 ?off≈5 电流控制型　 电流关断增益?off ： 最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益 1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A 。 电力电子技术 高职高专 ppt 课件 第二节 GTR——电力晶体管 电力晶体管GTR （Giant Transistor，巨型晶体管） 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT 在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效。 ??应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代 电力电子技术 高职高专 ppt 课件 1.单管GTR 单管GTR的基本工作原理与晶体管相同 作为大功率开关管应用时，GTR工作在截止和导通两种状态。 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好 2．达林顿GTR 单管 GTR的电流增益低，将给基极驱动电路造成负担。达林顿结构是提高电流增益一种有效方式。 达林顿结构由两个或多个晶体管复合而成，可以是PNP型也可以是NPN型，其性质由驱动管来决定 达林顿GTR的开关速度慢，损耗大 3．GTR 模块 将 GTR管芯、稳定电阻、加速二极管、续流二极管等组装成一个单元，然后根据不同用途将几个单元电路组装在一个外壳之内构成GTR模块。 目前生产的GTR模块可将多达6个互相绝缘的单元电路做在同一模块内，可很方便地组成三相桥式电路。 3. GTR的二次击穿现象 一次击穿 集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大，出现雪崩击穿； 只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。 二次击穿 一次击穿发生时，如果继续增高外接电压，则Ic继续增大，当达到某个临界点时，Uce会突然降低至一个小值，同时导致Ic急剧上升，这种现象称为二次击穿， 二次击穿的持续时间很短，一般在纳秒至微秒范围，常常立即导致器件的永久损坏。必需避免。 安全工作区 防止二次击穿，采用保护电路，同时考虑器件的安全裕量，尽量使GTR工作在安全工作区。 4.特点 全控型，电流控制型 二次击穿（工作时要防止） 中大容量，开关频率较低 第三节 功率场效应晶体管（MOSFET） G： 栅极 D： 漏极 S： 源极 电力MOSFET的结构和电气图形符号 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 1.导通关断条件 漏源极导通条件：在栅源极间加正电压UGS 漏源极关断条件：栅源极间电压UGS为零 2.特点 控制级输入阻抗大 驱动电流小 防止静电感应击穿 中小容量，开关频率高 导通压降大（不足） 第四节 绝缘栅双极晶体管IGBT） 绝缘栅双极型晶体管简称为IGBT（Insulated Gate Biopolar Transistor）,是80年代中期发展起来的一种新型复合器件。 IGBT综合了MOSFET和GTR的输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点。成为当前电力半导体器件的发展方向。 1. 结构 复合结构（= MOSFET+GTR） 栅极 集电极 发射极 2.导通关断条件 驱动原理与电力MOSFET基本相同，属于场控器件，通断由栅射极电压uGE决定 导通条件：在栅射极间加正